Patrick R. Briddon
AuthID: R-006-MRG
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TÃTULO: Electronic and dynamical properties of the silicon trivacancy
AUTORES: Coutinho, J ; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Svensson, BJ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 17
AUTORES: Coutinho, J ; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Svensson, BJ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Elastic and optical properties of Cu2ZnSn(SexS1-x)(4) alloys: density functional calculations Full Text
AUTORES: Camps, I; Coutinho, J ; Mir, M; da Cunha, AF ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 11
AUTORES: Camps, I; Coutinho, J ; Mir, M; da Cunha, AF ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 11
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TÃTULO: P-doping of Si nanoparticles: The effect of oxidation Full Text
AUTORES: Alexandra Carvalho; Sven Oberg; Manuel Barroso ; Mark J Rayson; Patrick Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 10
AUTORES: Alexandra Carvalho; Sven Oberg; Manuel Barroso ; Mark J Rayson; Patrick Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Light induced degradation in B doped Cz-Si solar cells Full Text
AUTORES: Alexandra Carvalho; Paulo Santos; Jose Coutinho ; Robert Jones; Mark J Rayson; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 10
AUTORES: Alexandra Carvalho; Paulo Santos; Jose Coutinho ; Robert Jones; Mark J Rayson; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Reconfigurations and diffusion of trivacancy in silicon Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Markevich, AV; Rayson, MJ; Briddon, PR; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 407, NÚMERO: 15
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Markevich, AV; Rayson, MJ; Briddon, PR; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 407, NÚMERO: 15
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TÃTULO: Electronic properties, doping, and defects in chlorinated silicon nanocrystals
AUTORES: Carvalho, A; Oberg, S; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 4
AUTORES: Carvalho, A; Oberg, S; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Effect of Oxidation on the Doping of Silicon Nanocrystals with Group III and Group V Elements
AUTORES: Alexandra Carvalho; Mark J Rayson; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 116, NÚMERO: 14
AUTORES: Alexandra Carvalho; Mark J Rayson; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 116, NÚMERO: 14
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TÃTULO: Electrical activity of multivacancy defects in silicon. Electrical activity of multivacancy defects in silicon Full Text
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium A on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III / Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, VOLUME: 9, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium A on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III / Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, VOLUME: 9, NÚMERO: 10-11
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TÃTULO: Influence of Ge content on the optical properties of X and W centers in dilute Si-Ge alloys
AUTORES: Leitao, JP ; Carvalho, A; Coutinho, J ; Pereira, RN ; Santos, NM; Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Barroso, M ; Lundsgaard L Hansen; Nylandsted N Larsen; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 16
AUTORES: Leitao, JP ; Carvalho, A; Coutinho, J ; Pereira, RN ; Santos, NM; Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Barroso, M ; Lundsgaard L Hansen; Nylandsted N Larsen; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS20
TÃTULO: Electronic structure modification of Si nanocrystals with F-4-TCNQ
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Barroso, M ; Silva, EL; Oberg, S; Rayson, M; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Barroso, M ; Silva, EL; Oberg, S; Rayson, M; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
