E. Janzen
AuthID: R-006-RKX
1
TÃTULO: Temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures Full Text
AUTORES: Hofmann, T; Kuehne, P; Schoeche, S; Jr Tai Chen; Forsberg, U; Janzen, E; Ben Sedrine, N; Herzinger, CM; Woollam, JA; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 101, NÚMERO: 19
AUTORES: Hofmann, T; Kuehne, P; Schoeche, S; Jr Tai Chen; Forsberg, U; Janzen, E; Ben Sedrine, N; Herzinger, CM; Woollam, JA; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 101, NÚMERO: 19
2
TÃTULO: Effect of impurity incorporation on crystallization in AlN sublimation epitaxy Full Text
AUTORES: Kakanakova Georgieva, A; Gueorguiev, GK; Yakimova, R; Janzen, E;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 96, NÚMERO: 9
AUTORES: Kakanakova Georgieva, A; Gueorguiev, GK; Yakimova, R; Janzen, E;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 96, NÚMERO: 9
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