K. S. Novoselov
AuthID: R-006-V8J
1
TÃTULO: Interplay between spin proximity effect and charge-dependent exciton dynamics in MoSe2/CrBr3 van der Waals heterostructures
AUTORES: Lyons, TP; Gillard, D; Molina Sanchez, A; Misra, A; Withers, F; Keatley, PS; Kozikov, A; Taniguchi, T; Watanabe, K; Novoselov, KS; Fernandez Rossier, J; Tartakovskii, AI;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: NATURE COMMUNICATIONS, VOLUME: 11, NÚMERO: 1
AUTORES: Lyons, TP; Gillard, D; Molina Sanchez, A; Misra, A; Withers, F; Keatley, PS; Kozikov, A; Taniguchi, T; Watanabe, K; Novoselov, KS; Fernandez Rossier, J; Tartakovskii, AI;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: NATURE COMMUNICATIONS, VOLUME: 11, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Strong Light-Matter Interactions in Heterostructures of Atomically Thin Films
AUTORES: Britnell, L; Ribeiro, RM ; Eckmann, A; Jalil, R; Belle, BD; Mishchenko, A; J Kim; Gorbachev, RV; Georgiou, T; Morozov, SV; Grigorenko, AN; Geim, AK; Casiraghi, C; Castro Neto, AH; Novoselov, KS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 340, NÚMERO: 6138
AUTORES: Britnell, L; Ribeiro, RM ; Eckmann, A; Jalil, R; Belle, BD; Mishchenko, A; J Kim; Gorbachev, RV; Georgiou, T; Morozov, SV; Grigorenko, AN; Geim, AK; Casiraghi, C; Castro Neto, AH; Novoselov, KS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 340, NÚMERO: 6138
3
TÃTULO: Electron Tunneling through Ultrathin Boron Nitride Crystalline Barriers Full Text
AUTORES: Liam Britnell; Roman V Gorbachev; Rashid Jalil; Branson D Belle; Fred Schedin; Mikhail I Katsnelson; Laurence Eaves; Sergey V Morozov; Alexander S Mayorov; Nuno M R Peres ; Antonio H C Castro Neto; Jon Leist; Andre K Geim; Leonid A Ponomarenko; Kostya S Novoselov;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NANO LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 3
AUTORES: Liam Britnell; Roman V Gorbachev; Rashid Jalil; Branson D Belle; Fred Schedin; Mikhail I Katsnelson; Laurence Eaves; Sergey V Morozov; Alexander S Mayorov; Nuno M R Peres ; Antonio H C Castro Neto; Jon Leist; Andre K Geim; Leonid A Ponomarenko; Kostya S Novoselov;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NANO LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 3
4
TÃTULO: Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures
AUTORES: Britnell, L; Gorbachev, RV; Jalil, R; Belle, BD; Schedin, F; Mishchenko, A; Georgiou, T; Katsnelson, MI; Eaves, L; Morozov, SV; Peres, NMR ; Leist, J; Geim, AK; Novoselov, KS; Ponomarenko, LA;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 335, NÚMERO: 6071
AUTORES: Britnell, L; Gorbachev, RV; Jalil, R; Belle, BD; Schedin, F; Mishchenko, A; Georgiou, T; Katsnelson, MI; Eaves, L; Morozov, SV; Peres, NMR ; Leist, J; Geim, AK; Novoselov, KS; Ponomarenko, LA;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 335, NÚMERO: 6071
5
TÃTULO: Electronic properties of a biased graphene bilayer Full Text
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Lopes dos Santos, JMBL ; Johan Nilsson; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 22, NÚMERO: 17
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Lopes dos Santos, JMBL ; Johan Nilsson; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 22, NÚMERO: 17
6
TÃTULO: Limits on Charge Carrier Mobility in Suspended Graphene due to Flexural Phonons
AUTORES: Castro, E. V. ; Ochoa, H; Katsnelson, MI; Gorbachev, RV; Elias, DC; Novoselov, KS; Geim, AK; Guinea, F;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 26
AUTORES: Castro, E. V. ; Ochoa, H; Katsnelson, MI; Gorbachev, RV; Elias, DC; Novoselov, KS; Geim, AK; Guinea, F;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 26
7
TÃTULO: The electronic properties of graphene
AUTORES: Castro Neto, AH; Guinea, F; Peres, NMR ; Novoselov, KS; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME: 81, NÚMERO: 1
AUTORES: Castro Neto, AH; Guinea, F; Peres, NMR ; Novoselov, KS; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME: 81, NÚMERO: 1
8
TÃTULO: Fine structure constant defines visual transparency of graphene
AUTORES: Nair, RR; Blake, P; Grigorenko, AN; Novoselov, KS; Booth, TJ; Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 320, NÚMERO: 5881
AUTORES: Nair, RR; Blake, P; Grigorenko, AN; Novoselov, KS; Booth, TJ; Stauber, T; Peres, NMR ; Geim, AK;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SCIENCE, VOLUME: 320, NÚMERO: 5881
9
TÃTULO: Biased bilayer graphene: Semiconductor with a gap tunable by the electric field effect
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
