H. Lahreche
AuthID: R-007-2M3
1
TÃTULO: A comparative study of n-p GaN/SiC heterojunction and p-n 6H-SiC homojunction diodes
AUTORES: Vacas, J; Lahreche, H; Monteiro, T ; Gaspar, C; Pereira, E; Brylinski, C; di Forte Poisson, MA;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, VOLUME: 338-3
AUTORES: Vacas, J; Lahreche, H; Monteiro, T ; Gaspar, C; Pereira, E; Brylinski, C; di Forte Poisson, MA;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, VOLUME: 338-3
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