Rui Nuno Marques Pereira
AuthID: R-000-SVV
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TÃTULO: Electronic transport through Si nanocrystal films: Spin-dependent conductivity studies Full Text
AUTORES: Pereira, RN; Stegner, AR; Klein, K; Lechner, R; Dietinueller, R; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 24th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 401
AUTORES: Pereira, RN; Stegner, AR; Klein, K; Lechner, R; Dietinueller, R; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 24th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 401
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TÃTULO: Phosphorus doping of Si nanocrystals: Interface defects and charge compensation Full Text
AUTORES: Stegner, AR; Pereira, RN; Klein, K; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 24th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 401
AUTORES: Stegner, AR; Pereira, RN; Klein, K; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 24th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 401
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TÃTULO: Ge nanocrystals in magnetron sputtered SiO2 Full Text
AUTORES: Jensen, JS; Pedersen, TPL; Pereira, R; Chevallier, J; Hansen, JL; Nielsen, BB; Larsen, AN;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 83, NÚMERO: 1
AUTORES: Jensen, JS; Pedersen, TPL; Pereira, R; Chevallier, J; Hansen, JL; Nielsen, BB; Larsen, AN;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 83, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Antibonding configurations of hydrogen in silicon-germanium alloys
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Peaker, AR; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 8
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Peaker, AR; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Evidence for a trigonal dimer of antibonding hydrogen in crystalline silicon
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 11
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 11
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TÃTULO: Local vibrational modes of hydrogen in GaN: Observation and theory Full Text
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Stavola, M; Sanatic, M; Estreicher, SK; Mizuta, M;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Stavola, M; Sanatic, M; Estreicher, SK; Mizuta, M;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Coupling between Ge-nanocrystals and defects inSiO(2) Full Text
AUTORES: Skov S Jensen; Franzo, G; Leervad P L Petersen; Pereira, R; Chevallier, J; Christian C Petersen; Bech B Nielsen; Nylandsted N Larsen;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Si-based Photonics held at the EMRS 2006 Conference in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 121, NÚMERO: 2
AUTORES: Skov S Jensen; Franzo, G; Leervad P L Petersen; Pereira, R; Chevallier, J; Christian C Petersen; Bech B Nielsen; Nylandsted N Larsen;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Si-based Photonics held at the EMRS 2006 Conference in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 121, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Local modes of bond-centered hydrogen in Si : Ge and Ge : Si
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Dobaczewski, L; Peaker, AR; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 71, NÚMERO: 19
AUTORES: Pereira, RN; Nielsen, BB; Dobaczewski, L; Peaker, AR; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 71, NÚMERO: 19
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TÃTULO: Host isotope effect on the local vibration modes of VH2 and VOH2 defects in isotopically enriched Si-28, Si-29 and Si-30 single crystals
AUTORES: Ohya, T; Itoh, KM; Pereira, RN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, VOLUME: 44, NÚMERO: 10
AUTORES: Ohya, T; Itoh, KM; Pereira, RN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, VOLUME: 44, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Passivation of Ge nanocrystals in SiO2
AUTORES: Jensen, JS; Pedersen, TPL; Pereira, R; Bomholt, P; Chevallier, J; Hansen, O; Larsen, AN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2005) in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XI, VOLUME: 108-109
AUTORES: Jensen, JS; Pedersen, TPL; Pereira, R; Bomholt, P; Chevallier, J; Hansen, O; Larsen, AN; Nielsen, BB;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2005) in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XI, VOLUME: 108-109
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