Ivan Larkin
AuthID: R-000-Z8R
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TÃTULO: First-principles calculations of the YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7 interface Full Text
AUTORES: Gomez, JA; Larkin, I; Schwingenschlogl, U;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Workshop on Multiscale Modeling of Moving Interfaces in Materials in MATHEMATICS AND COMPUTERS IN SIMULATION, VOLUME: 80, NÚMERO: 7
AUTORES: Gomez, JA; Larkin, I; Schwingenschlogl, U;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Workshop on Multiscale Modeling of Moving Interfaces in Materials in MATHEMATICS AND COMPUTERS IN SIMULATION, VOLUME: 80, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Fermi-edge singularity at tunneling and anisotropic magneto-tunneling in low-dimensional semiconductor structures
AUTORES: Ivan A Larkin; Vdovin, EE; Yu N Khanin; Sebastian Ujevic; Henini, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICA SCRIPTA, VOLUME: 82, NÚMERO: 3
AUTORES: Ivan A Larkin; Vdovin, EE; Yu N Khanin; Sebastian Ujevic; Henini, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICA SCRIPTA, VOLUME: 82, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Relaxation of the electronic states at a thin-layer YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7 interface Full Text
AUTORES: Javier A Gomez; Ivan Larkin; Udo Schwingenschloegl;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: CHEMICAL PHYSICS LETTERS, VOLUME: 500, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Javier A Gomez; Ivan Larkin; Udo Schwingenschloegl;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: CHEMICAL PHYSICS LETTERS, VOLUME: 500, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: EUCLIDEAN ACTION AT TUNNELING IN MAGNETIC FIELD Full Text
AUTORES: Larkin, IA; Sebastian Ujevic; Ivlev, BI;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology in INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 23, NÚMERO: 12-13
AUTORES: Larkin, IA; Sebastian Ujevic; Ivlev, BI;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology in INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 23, NÚMERO: 12-13
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TÃTULO: MAGNETIC FIELD DEPENDENCE OF MANY-BODY ENHANCED ELECTRON TUNNELLING THROUGH A QUANTUM DOT Full Text
AUTORES: Ivan A Larkin; Vdovin, EE; Yu. N Khanin; Henini, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology in INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 23, NÚMERO: 12-13
AUTORES: Ivan A Larkin; Vdovin, EE; Yu. N Khanin; Henini, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 18th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology in INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 23, NÚMERO: 12-13
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TÃTULO: Tunneling escape time from a semiconductor quantum well in an electric field Full Text
AUTORES: Larkin, IA; Sebastian Ujevic; Avrutin, EA;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 11
AUTORES: Larkin, IA; Sebastian Ujevic; Avrutin, EA;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 11
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TÃTULO: Scaling of thermoelectric voltage induced by microwave radiation at the boundary between 2D electron systems Full Text
AUTORES: Ivan A Larkin; Romero R Kalmanovitz; Hoxha, I; Jin, Y; Vitkalov, SA; Sarachik, MP; Klapwijk, TM; Marília Caldas; Nelson Studart;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS 29 in AIP Conference Proceedings, VOLUME: 1199
AUTORES: Ivan A Larkin; Romero R Kalmanovitz; Hoxha, I; Jin, Y; Vitkalov, SA; Sarachik, MP; Klapwijk, TM; Marília Caldas; Nelson Studart;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS 29 in AIP Conference Proceedings, VOLUME: 1199
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TÃTULO: First Principle Calculation of Potential and Multi-Channel Transport in Fe/MgO/Fe Hetero-Junction
AUTORES: Sebastian Ujevic; Gomez, JA; Ivan A Larkin;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 1st Franco-Brazilian Meeting of Nanoscience, Nanotechnology and Nanobiotechnology in BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, VOLUME: 39, NÚMERO: 1A
AUTORES: Sebastian Ujevic; Gomez, JA; Ivan A Larkin;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 1st Franco-Brazilian Meeting of Nanoscience, Nanotechnology and Nanobiotechnology in BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, VOLUME: 39, NÚMERO: 1A
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TÃTULO: Electronic and structural properties of two mirrored boron-nitride nanocones with 240 degrees disclination
AUTORES: Machado, M; Larkin, IA; Piquini, P;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 1st Franco-Brazilian Meeting of Nanoscience, Nanotechnology and Nanobiotechnology in BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, VOLUME: 39, NÚMERO: 1A
AUTORES: Machado, M; Larkin, IA; Piquini, P;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 1st Franco-Brazilian Meeting of Nanoscience, Nanotechnology and Nanobiotechnology in BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, VOLUME: 39, NÚMERO: 1A
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TÃTULO: Scaling of thermoelectric voltage induced by microwave radiation at the boundary between two-dimensional electron systems
AUTORES: Romero R Kalmanovitz; Hoxha, I; Jin, Y; Vitkalov, SA; Sarachik, MP; Ivan A Larkin; Klapwijk, TM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 77, NÚMERO: 3
AUTORES: Romero R Kalmanovitz; Hoxha, I; Jin, Y; Vitkalov, SA; Sarachik, MP; Ivan A Larkin; Klapwijk, TM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 77, NÚMERO: 3
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