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TÍTULO: PRELIMINARY ASSESSMENT OF THE DOSE TO THE INTERVENTIONAL RADIOLOGIST IN FLUORO-CT-GUIDED PROCEDURES
AUTORES: Pereira, MF; Alves, JG; Sarmento, S; Santos, JAM ; Sousa, MJ; Gouvea, M; Oliveira, AD; Cardoso, JV; Santos, LM;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: RADIATION PROTECTION DOSIMETRY, VOLUME: 144, NÚMERO: 1-4
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TÍTULO: Electroless Plating of Au, Pt, or Ru Thin Film Layer on CdZnTe
AUTORES: Zheng, Q; Dierre, F; Corregidor, V; Crocco, J; Bensalah, H; Plaza, JL; Alves, E; Dieguez, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: IEEE Nuclear Science Symposium/Medical Imaging Conference (NSS/MIC)/18th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors in 2011 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (NSS/MIC)
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TÍTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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TÍTULO: Optimization Of A Mass Spectrometry Process
AUTORES: José Lopes ; Corre^a C Alegria; Luís Redondo; Barradas, NP; Alves, E; Jorge Rocha; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011
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TÍTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
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TÍTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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TÍTULO: Stopping power of 11B in Si and TiO2 measured with a bulk sample method and Bayesian inference data analysis  Full Text
AUTORES: Siketić, Z; Bogdanović Radović, I; Alves, E; N.P Barradas;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 11-12
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TÍTULO: Effects of Mg-ion implantation in α-Al2O3 and α-Al2O3:Mg crystals: Electrical conductivity and electronic structure changes  Full Text
AUTORES: Tardío, M; Colera, I; Ramírez, R; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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TÍTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
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