Robert Francis Jones
AuthID: R-001-FHB
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TÃTULO: The formation, dissociation and electrical activity of divacancy-oxygen complexes in Si Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
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TÃTULO: Interaction between oxygen and single self-interstitials in silicon Full Text
AUTORES: Pinho, N; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
AUTORES: Pinho, N; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
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TÃTULO: Electronic properties of vacancy-oxygen complexes in SiGe alloys Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR; Auret, FD; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR; Auret, FD; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
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TÃTULO: Effect of stress on the energy levels of the vacancy-oxygen-hydrogen complex in Si
AUTORES: Coutinho, J ; Andersen, O; Dobaczewski, L; Nielsen, KB; Peaker, AR; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 18
AUTORES: Coutinho, J ; Andersen, O; Dobaczewski, L; Nielsen, KB; Peaker, AR; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Electronic structure of divacancy-hydrogen complexes in silicon Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Workshop on the Physics of Group IV Materials in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 15, NÚMERO: 39
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Workshop on the Physics of Group IV Materials in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 15, NÚMERO: 39
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TÃTULO: Vibrational modes of sulfur defects in GaP
AUTORES: Leigh, RS; Sangster, MJL; Newman, RC; Goss, JP; Jones, R; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 3
AUTORES: Leigh, RS; Sangster, MJL; Newman, RC; Goss, JP; Jones, R; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Electrical activity of chalcogen-hydrogen defects in silicon
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 67, NÚMERO: 3
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 67, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Shallow donor activity of S-H, Se-H, and Te-H complexes in silicon
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Proceedings 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10) in Physica Status Solidi Conferences, NÚMERO: 2
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Proceedings 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10) in Physica Status Solidi Conferences, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus49
TÃTULO: Interstitial carbon-oxygen center and hydrogen related shallow thermal donors in Si
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 65, NÚMERO: 1
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindstrom, JL;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 65, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus
Scopus50
TÃTULO: Mg-H and Be-H complexes in cubic boron nitride
AUTORES: Pinho, NMC; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Conference on Doping Issues in Wide Band-Gap Semiconductors in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 13, NÚMERO: 40
AUTORES: Pinho, NMC; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Conference on Doping Issues in Wide Band-Gap Semiconductors in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 13, NÚMERO: 40
