H. E. Beere
AuthID: R-00F-C2D
1
TÃTULO: Composition measurement of epitaxial ScxGa1-xN films Full Text
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Barradas, NP; Alves, E; Pereira, S; Palgrave, RG; Davies, RJ; Beere, HE; Farrer, I; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 6
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Barradas, NP; Alves, E; Pereira, S; Palgrave, RG; Davies, RJ; Beere, HE; Farrer, I; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 6
2
TÃTULO: Band gaps of wurtzite ScxGa1-xN alloys Full Text
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Rhode, SK; Pereira, S; Beere, HE; Farrer, I; Nicoll, CA; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 106, NÚMERO: 13
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Rhode, SK; Pereira, S; Beere, HE; Farrer, I; Nicoll, CA; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 106, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: 
WOS 
CrossRef
WOS CrossRef3
TÃTULO: The effect of metal-rich growth conditions on the microstructure of ScxGa1-xN films grown using molecular beam epitaxy. Effect of metal-rich growth conditions on the microstructure of ScxGa1−xN films Full Text
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Barradas, NP; Alves, E; Pereira, S; Beere, HE; Farrer, I; Nicoll, CA; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 212, NÚMERO: 12
AUTORES: Tsui, HCL; Goff, LE; Barradas, NP; Alves, E; Pereira, S; Beere, HE; Farrer, I; Nicoll, CA; Ritchie, DA; Moram, MA;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 212, NÚMERO: 12
