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TÍTULO: Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction-Thermal admittance spectroscopy studies  Full Text
AUTORES: Tomasz A Krajewski; Peter Stallinga ; Eunika Zielony; Krzysztof Goscinski; Piotr Kruszewski; Lukasz Wachnicki; Timo Aschenbrenner; Detlef Hommel; Elzbieta Guziewicz; Marek Godlewski;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 113, NÚMERO: 19
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