Marek Godlewski
AuthID: R-00F-CC6
1
TÃTULO: Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction-Thermal admittance spectroscopy studies Full Text
AUTORES: Tomasz A Krajewski; Peter Stallinga ; Eunika Zielony; Krzysztof Goscinski; Piotr Kruszewski; Lukasz Wachnicki; Timo Aschenbrenner; Detlef Hommel; Elzbieta Guziewicz; Marek Godlewski;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 113, NÚMERO: 19
AUTORES: Tomasz A Krajewski; Peter Stallinga ; Eunika Zielony; Krzysztof Goscinski; Piotr Kruszewski; Lukasz Wachnicki; Timo Aschenbrenner; Detlef Hommel; Elzbieta Guziewicz; Marek Godlewski;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 113, NÚMERO: 19
