11
TÍTULO: Luminescence of Eu ions in AlxGa1-xN across the entire alloy composition range
AUTORES: Wang, K; O'Donnell, KP; Hourahine, B; Martin, RW; Watson, IM; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 12
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12
TÍTULO: Structural and optical characterization of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Barradas, NP ; Alves, E ; Roqan, IS; Nogales, E; Martin, RW; O'Donnell, KP; Gloux, F; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 16
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13
TÍTULO: Europium doping of zincblende GaN by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Roqan, IS; Franco, N; O'Donnell, KP; Darakchieva, V; Alves, E ; Trager Cowan, C; Martin, RW; As, DJ; Panfilova, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 11
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14
TÍTULO: Optical energies of AlInN epilayers  Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Amabile, D; Edwards, PR; Hernandez, S; Nogales, E; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Matias, V; Vantomme, A; Wolverson, D; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 7
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15
TÍTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted AlInN  Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 13
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16
TÍTULO: Anomalous ion channeling in AlInN/GaN bilayers: Determination of the strain state
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 8
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17
TÍTULO: Influence of the annealing ambient on structural and optical properties of rare earth implanted GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Nogales, E; Nedelec, R; Penner, J; Vianden, R; Alves, E ; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GaN, AIN, InN and Related Materials, VOLUME: 892
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18
TÍTULO: High temperature implantation of Tm in GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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19
TÍTULO: Processing of rare earth doped GaN with ion beams
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Ruffenach, S; Briot, O; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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20
TÍTULO: Comment on: Low Stokes shift in thick and homogeneous InGaN epilayers(Appl. Phys. Lett. (2002) 80 550))
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
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