Robert William Martin
AuthID: R-001-HZW
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TÃTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
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TÃTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
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TÃTULO: Composition and luminescence studies of InGaN epilayers grown at different hydrogen flow rates Full Text
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Temperature-Dependent Hysteresis of the Emission Spectrum of Eu-implanted, Mg-doped HVPE GaN Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566
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TÃTULO: Characterization of InGaN and InAlN epilayers by microdiffraction X-ray reciprocal space mapping
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Pereira, S ; Martin, RW; Edwards, PR; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1396
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Pereira, S ; Martin, RW; Edwards, PR; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1396
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TÃTULO: InGaN epilayer characterization by microfocused x-ray reciprocal space mapping Full Text
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Pereira, S ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 18
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Pereira, S ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Zeeman splittings of the 5D 0- 7F 2 transitions of Eu 3+ ions implanted into GaN
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Rice, C; Wolverson, D; Martin, RW; Lorenz, K; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2010 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1290
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Rice, C; Wolverson, D; Martin, RW; Lorenz, K; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2010 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1290
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TÃTULO: Identification of the prime optical center in GaN:Eu3+
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Song, SF; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Song, SF; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted InxAl1-xN Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Trager Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Trager Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
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