H. V. Wenckstern


AuthID: R-00G-4J2

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TÍTULO: Low-temperature processed Schottky-gated field-effect transistors based on amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin films  Full Text
AUTORES: Lorenz, M; Lajn, A; Frenzel, H; Wenckstern, HV; Grundmann, M; Barquinha, P ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef

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