Chandra C. Sekhar
AuthID: R-00G-D4Y
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TÃTULO: Substrate temperature influenced physical properties of silicon MOS devices with TiO2 gate dielectric. Physical properties of Silicon MOS devices with TiO2 gate dielectric Full Text
AUTORES: Chandra C Sekhar; Kondaiah, P; Jagadeesh Chandra, SVJ; Mohan M Rao; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 44, NÚMERO: 9
AUTORES: Chandra C Sekhar; Kondaiah, P; Jagadeesh Chandra, SVJ; Mohan M Rao; Uthanna, S;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 44, NÚMERO: 9
