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TÍTULO: Defect trapping and annealing for transition metal implants in group III nitrides
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R; Pearton, SJ; Abernathy, CR; Zavada, JM;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH, VOLUME: 5, NÚMERO: 5
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