S. V. Morozov
AuthID: R-00J-4JS
1
TÃTULO: Biased bilayer graphene: Semiconductor with a gap tunable by the electric field effect
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
AUTORES: Castro, E. V. ; Novoselov, KS; Morozov, SV; Peres, NMR ; Dos Santos, JMBL ; Nilsson, J; Guinea, F; Geim, AK; Castro Neto, AH;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 99, NÚMERO: 21
2
TÃTULO: ELECTRON-TUNNELING THROUGH SINGLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
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TÃTULO: SEQUENTIAL EMISSION OF OPTICAL PHONONS BY BALLISTIC ELECTRONS IN SINGLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 28, NÚMERO: 11
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN; ANDERSSON, TG;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 28, NÚMERO: 11
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WOS4
TÃTULO: ENERGY QUASIBALLISTICS IN MICROSTRUCTURES WITH A 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 26, NÚMERO: 3
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 26, NÚMERO: 3
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WOS5
TÃTULO: LOW-TEMPERATURE ENERGY QUASIBALLISTICS IN GAAS MICROSTRUCTURES
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; BORISOV, AV; BUNIN, GG; INOZEMTSEV, SA; LAPIN, VG; MALAKHOV, BA;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 24, NÚMERO: 5
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; BORISOV, AV; BUNIN, GG; INOZEMTSEV, SA; LAPIN, VG; MALAKHOV, BA;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, VOLUME: 24, NÚMERO: 5
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WOS6
TÃTULO: ENERGY QUASIBALLISTIC IN GAAS-MESFETS Full Text
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
AUTORES: DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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