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TÍTULO: Low filament temperature deposition of a-Si:H by hot-wire chemical vapor deposition  Full Text
AUTORES: Brogueira, P; Conde, JP; Arekat, S; Chu, V;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 6
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TÍTULO: Transport and photoluminescence of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys  Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Jarego, J; Brogueira, P; Rodriguez, J; Barradas, N; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
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TÍTULO: HIGH-GROWTH RATE A-SIH DEPOSITED BY HOT-WIRE CVD
AUTORES: BROGUEIRA, P; CHU, V; CONDE, JP;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1994 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1994, VOLUME: 336
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264
TÍTULO: Properties of amorphous silicon/amorphous silicon-germanium multilayers  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chu, V; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 75, NÚMERO: 3
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TÍTULO: Carrier lifetime in amorphous semiconductors  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 75, NÚMERO: 11
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266
TÍTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
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267
TÍTULO: Response time measurements in microcrystalline silicon
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Grebner, S; Fischer, T; Koynov, S; Chu, V; Brogueria, P; Conde, J;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
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TÍTULO: Deposition of amorphous silicon using a tubular reactor with concentric-electrode confinement  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
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269
TÍTULO: The effect of the flow of silane on the properties of a-Si:H deposited by concentric-electrode radio frequency glow-discharge  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
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270
TÍTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias  Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
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