João Pedro Estrela Rodrigues Conde
AuthID: R-000-7DS
261
TÃTULO: Structural and magnetic properties of UFexM12 - x (M = Al, Mo and Si) intermetallic compounds Full Text
AUTORES: Goncalves, AP ; Grégoire Bonfait ; Almeida, M ; Estrela, P; Godinho, M ; Spirlet, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, VOLUME: 140-144, NÚMERO: PART 2
AUTORES: Goncalves, AP ; Grégoire Bonfait ; Almeida, M ; Estrela, P; Godinho, M ; Spirlet, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, VOLUME: 140-144, NÚMERO: PART 2
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TÃTULO: Low filament temperature deposition of a-Si:H by hot-wire chemical vapor deposition Full Text
AUTORES: Brogueira, P; Conde, JP; Arekat, S; Chu, V;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 6
AUTORES: Brogueira, P; Conde, JP; Arekat, S; Chu, V;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 6
263
TÃTULO: Transport and photoluminescence of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Jarego, J; Brogueira, P; Rodriguez, J; Barradas, N; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Jarego, J; Brogueira, P; Rodriguez, J; Barradas, N; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
264
TÃTULO: HIGH-GROWTH RATE A-SIH DEPOSITED BY HOT-WIRE CVD
AUTORES: BROGUEIRA, P; CHU, V; CONDE, JP;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1994 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1994, VOLUME: 336
AUTORES: BROGUEIRA, P; CHU, V; CONDE, JP;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1994 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1994, VOLUME: 336
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TÃTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
269
TÃTULO: Deposition of amorphous silicon using a tubular reactor with concentric-electrode confinement Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
270
TÃTULO: The effect of the flow of silane on the properties of a-Si:H deposited by concentric-electrode radio frequency glow-discharge Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
