11
TÍTULO: Theory of shallow and deep boron defects in 4H-SiC
AUTORES: Torres, Vitor J. B.; Capan, Ivana; Coutinho, Jose;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 106, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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12
TÍTULO: Silicon carbide diodes for neutron detection
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Capan, I; Brodar, T; Eres, Z; Bernat, R; Radulovic, V; Ambrozic, K; Snoj, L; Pastuovic, Z; Sarbutt, A; Ohshima, T; Yamazaki, Y; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, VOLUME: 986
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 29
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13
TÍTULO: Theory of the Thermal Stability of Silicon Vacancies and Interstitials in 4H-SiC
AUTORES: Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 20
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14
TÍTULO: Modeling and physical properties of diphenylalanine peptide nanotubes containing water molecules
AUTORES: Bystrov, VS; Coutinho, J; Zhulyabina, OA; Kopyl, SA; Zelenovskiy, PS; Nuraeva, AS; Tverdislov, VA; Filippov, SV; Kholkin, AL; Shur, VY;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: FERROELECTRICS, VOLUME: 574, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
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15
TÍTULO: M center in 4H-SiC is a carbon self-interstitial
AUTORES: Coutinho, J; Gouveia, JD; Makino, T; Ohshima, T; Pastuovic, Z; Bakrac, L; Brodar, T; Capan, I;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 103, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 11
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16
TÍTULO: Indium-Doped Silicon for Solar Cells-Light-Induced Degradation and Deep-Level Traps
AUTORES: De Guzman, JAT; Markevich, VP; Hawkins, ID; Ayedh, HM; Coutinho, J; Binns, J; Falster, R; Abrosimov, NV; Crowe, IF; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 218, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 2
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17
TÍTULO: Editorial for the Special Issue on "Crystalline Materials for Radiation Detection: A New Perspective"
AUTORES: Capan, I; Coutinho, J; Radulovic, V; Makino, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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18
TÍTULO: Electronic Properties and Structure of Boron-Hydrogen Complexes in Crystalline Silicon
AUTORES: De Guzman, JAT; Markevich, VP; Coutinho, J; Abrosimov, NV; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: SOLAR RRL, VOLUME: 6, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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19
TÍTULO: M-center in 4H-SiC: Isothermal DLTS and first principles modeling studies
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Bernat, R; Pastuovic, Z; Makino, T; Ohshima, T; Gouveia, JD; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 130, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
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20
TÍTULO: Simulation and Computer Study of Structures and Physical Properties of Hydroxyapatite with Various Defects
AUTORES: Bystrov, V; Paramonova, E; Avakyan, L; Coutinho, J; Bulina, N;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NANOMATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 26
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