José Pedro de Abreu Coutinho
AuthID: R-000-8V3
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TÃTULO: Acceptor levels of the carbon vacancy in 4H-SiC: Combining Laplace deep level transient spectroscopy with density functional modeling
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Coutinho, J; Ohshima, T; Markevich, VP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 124, NÚMERO: 24
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Coutinho, J; Ohshima, T; Markevich, VP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 124, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Deep level defects in 4H-SiC epitaxial layers
AUTORES: Ivana Capan; Tomislav Brodar; Takeshi Ohshima; Shin Ichiro Sato; Takahiro Makino; Željko Pastuović; Rainer Siegele; Luka Snoj; Vladimir Radulović; José Coutinho; Vitor J B Torres; Kamel Demmouche;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 924 MSF
AUTORES: Ivana Capan; Tomislav Brodar; Takeshi Ohshima; Shin Ichiro Sato; Takahiro Makino; Željko Pastuović; Rainer Siegele; Luka Snoj; Vladimir Radulović; José Coutinho; Vitor J B Torres; Kamel Demmouche;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 924 MSF
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TÃTULO: First-principles Calculations of Structural, Magnetic Electronic and Optical Properties of Rare-earth Metals TbX (X=N, O, S, Se)
AUTORES: Hasni, L; Ameri, M; Bensaid, D; Ameri, I; Mesbah, S; Al Douri, Y; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM, VOLUME: 30, NÚMERO: 12
AUTORES: Hasni, L; Ameri, M; Bensaid, D; Ameri, I; Mesbah, S; Al Douri, Y; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM, VOLUME: 30, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Powerful recombination centers resulting from reactions of hydrogen with carbon-oxygen defects in n-type Czochralski-grown silicon
AUTORES: Vaqueiro Contreras, M; Markevich, VP; Halsall, MP; Peaker, AR; Santos, P; Coutinho, J; Oberg, S; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, VOLUME: 11, NÚMERO: 8
AUTORES: Vaqueiro Contreras, M; Markevich, VP; Halsall, MP; Peaker, AR; Santos, P; Coutinho, J; Oberg, S; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, VOLUME: 11, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Comment on "Different STM images of the superstructure on a clean Si(133)-6 x 2 surface" (JETP Letters 105, 477 (2017))
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JETP LETTERS, VOLUME: 106, NÚMERO: 5
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JETP LETTERS, VOLUME: 106, NÚMERO: 5
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TÃTULO: Si(111) strained layers on Ge(111): Evidence for c (2×4) domains
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J; Dolbak, A; Cherepanov, V; Voigtländer, B;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 96, NÚMERO: 8
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J; Dolbak, A; Cherepanov, V; Voigtländer, B;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 96, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Theory of the carbon vacancy in 4H-SiC: Crystal field and pseudo-Jahn-Teller effects
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 96, NÚMERO: 17
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 96, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Recombination via transition metals in solar silicon: The significance of hydrogen–metal reactions and lattice sites of metal atoms
AUTORES: Mullins, J; Leonard, S; Markevich, VP; Hawkins, ID; Santos, P; Coutinho, J; Marinopoulos, AG; Murphy, JD; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 214, NÚMERO: 7
AUTORES: Mullins, J; Leonard, S; Markevich, VP; Hawkins, ID; Santos, P; Coutinho, J; Marinopoulos, AG; Murphy, JD; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 214, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Theory of a carbon‐oxygen‐hydrogen recombination center in n‐type Si
AUTORES: Paulo Santos; José Coutinho; Sven Öberg; Michelle Vaqueiro‐Contreras; Vladimir P Markevich; Matthew P Halsall; Anthony R Peaker;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 214, NÚMERO: 7
AUTORES: Paulo Santos; José Coutinho; Sven Öberg; Michelle Vaqueiro‐Contreras; Vladimir P Markevich; Matthew P Halsall; Anthony R Peaker;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 214, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Mechanisms of Si and Ge diffusion on surfactant terminated (111) silicon and germanium surfaces Full Text
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SURFACE SCIENCE, VOLUME: 647
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SURFACE SCIENCE, VOLUME: 647
