José Pedro de Abreu Coutinho
AuthID: R-000-8V3
81
TÃTULO: Ab-initio modeling of defects in germanium
AUTORES: Jones, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
AUTORES: Jones, R; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
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ORCID82
TÃTULO: Interstitial Carbon-Related Defects in Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> Alloys
AUTORES: Lyudmila I Khirunenko; Yu.V Pomozov; Mikhail G Sosnin; A.V Duvanskii; Vitor J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; Patrick R Briddon; Nikolay V Abrosimov; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 131-133
AUTORES: Lyudmila I Khirunenko; Yu.V Pomozov; Mikhail G Sosnin; A.V Duvanskii; Vitor J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; Patrick R Briddon; Nikolay V Abrosimov; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 131-133
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TÃTULO: Local vibrations of interstitial carbon in SiGe alloys Full Text
AUTORES: L.I Khirunenko; Yu.V Pomozov; M.G Sosnin; M.O Trypachko; Duvanskii, A; V.J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; P.R Briddon; N.V Abrosimov; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
AUTORES: L.I Khirunenko; Yu.V Pomozov; M.G Sosnin; M.O Trypachko; Duvanskii, A; V.J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; P.R Briddon; N.V Abrosimov; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
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TÃTULO: Effect of enzymatic aroma release on the volatile compounds of white wines presenting different aroma potentials Full Text
AUTORES: Rocha, SM ; Coutinho, P; Delgadillo, I ; Cardoso, AD; Coimbra, MA ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF THE SCIENCE OF FOOD AND AGRICULTURE, VOLUME: 85, NÚMERO: 2
AUTORES: Rocha, SM ; Coutinho, P; Delgadillo, I ; Cardoso, AD; Coimbra, MA ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF THE SCIENCE OF FOOD AND AGRICULTURE, VOLUME: 85, NÚMERO: 2
85
TÃTULO: Ab-initio studies of local vibrations of small self-interstitial aggregates in silicon
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Coutinho, J; Torres, VJB; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technlogy, GADEST 2005 in Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Coutinho, J; Torres, VJB; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technlogy, GADEST 2005 in Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
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TÃTULO: Ab Initio Studies of Local Vibrations of Small Self-Interstitials Aggregates in Silicon
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Coutinho, J; Vitor J.B Torres; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Coutinho, J; Vitor J.B Torres; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
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TÃTULO: Metastable VO<sub>2</sub> Complexes in Silicon: Experimental and Theoretical Modeling Studies
AUTORES: L.I Murin; Lennart L Lindström; Vladimir P Markevich; I.F Medvedeva; Vitor J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
AUTORES: L.I Murin; Lennart L Lindström; Vladimir P Markevich; I.F Medvedeva; Vitor J.B Torres; Coutinho, J; Jones, R; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Phenomena, VOLUME: 108-109
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TÃTULO: Shallow donor activity of S-H, Se-H, and Te-H complexes in silicon
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Proceedings 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10) in Physica Status Solidi Conferences, NÚMERO: 2
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Proceedings 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors (SLCS-10) in Physica Status Solidi Conferences, NÚMERO: 2
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TÃTULO: I6nterstitial carbon-oxygen center and hydrogen related shallow thermal donors in Si
AUTORES: Coutinho, J; Jones, R; Briddon, PR; Öberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindström, JL;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 65, NÚMERO: 1
AUTORES: Coutinho, J; Jones, R; Briddon, PR; Öberg, S; Murin, LI; Markevich, VP; Lindström, JL;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 65, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Observation and theory of the<math><mi>V</mi><mrow><msub><mrow><mo>−</mo><mi>O</mi><mo>−</mo><mi>H</mi></mrow><mrow><mn>2</mn></mrow></msub></mrow></math>complex in silicon
AUTORES: Markevich, VP; Murin, LI; Suezawa, M; Lindström, JL; Coutinho, J; Jones, R; Briddon, PR; Öberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 61, NÚMERO: 19
AUTORES: Markevich, VP; Murin, LI; Suezawa, M; Lindström, JL; Coutinho, J; Jones, R; Briddon, PR; Öberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 61, NÚMERO: 19
