101
TÍTULO: Self-organised silicide nanodot patterning by medium-energy ion beam sputtering of Si (100): local correlation between the morphology and metal content
AUTORES: Redondo Cubero, A; Galiana, B; Lorenz, K; Palomares, FJ; Bahena, D; Ballesteros, C; Hernandez Calderon, I; Vazquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 44
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
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102
TÍTULO: Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of AlxGa1-xN implanted with thulium  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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103
TÍTULO: Ion-beam induced effects in multi-layered semiconductor systems
AUTORES: Wendler, E; Sobolev, NA; Redondo Cubero, A; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 253, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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104
TÍTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 3
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105
TÍTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
106
TÍTULO: Rare earth ion implantation and optical activation in nitride semiconductors for multicolor emission  Full Text
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 30, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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107
TÍTULO: Ion damage overrides structural disorder in silicon surface nanopatterning by low-energy ion beam sputtering
AUTORES: Moreno Barrado, A; Gago, R; Redondo Cubero, A; Vazquez, L; Munoz Garcia, J; Cuerno, R; Lorenz, K; Castro, M;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: EPL, VOLUME: 109, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS
108
TÍTULO: Luminescence studies on green emitting InGaN/GaN MQWs implanted with nitrogen  Full Text
AUTORES: Marco A Sousa; Teresa C Esteves; Nabiha Ben Sedrine; Joana Rodrigues; Marcio B Lourenco; Andres Redondo Cubero; Eduardo Alves; Kevin P O'Donnell; Michal Bockowski; Christian Wetzel; Maria R Correia; Katharina Lorenz; Teresa Monteiro;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13
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109
TÍTULO: Indirect excitation of Eu3+ in GaN codoped with Mg and Eu  Full Text
AUTORES: Yamaga, M; Watanabe, H; Kurahashi, M; O'Donnell, KP; Lorenz, K; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: 6th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA) in 6TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICAL, OPTOELECTRONIC AND PHOTONIC MATERIALS AND APPLICATIONS (ICOOPMA) 2014, VOLUME: 619, NÚMERO: 1
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110
TÍTULO: Spectroscopic Analysis of Eu3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires
AUTORES: Rodrigues, J; Leitao, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 119, NÚMERO: 31
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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