Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
111
TÃTULO: Doping of Ga2O3 bulk crystals and NWs by ion implantation
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Felizardo, M ; Correia, JG; Alves, LC; Alves, E; Lopez, I; Nogales, E; Mendez, B; Piqueras, J; Barbosa, MB; Araujo, JP ; Goncalves, JN; Rodrigues, J; Rino, L; Monteiro, T; Villora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Felizardo, M ; Correia, JG; Alves, LC; Alves, E; Lopez, I; Nogales, E; Mendez, B; Piqueras, J; Barbosa, MB; Araujo, JP ; Goncalves, JN; Rodrigues, J; Rino, L; Monteiro, T; Villora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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TÃTULO: ZnO micro/nanocrystals grown by Laser Assisted Flow Deposition
AUTORES: Rodrigues, J; Fernandes, AJS; Mata, D; Holz, T; Carvalho, RG; Fath F Allah; Ben, T; Gonzalez, D; Silva, RF; da Cunha, AF; Correia, MR; Alves, LC; Lorenz, K; Neves, AJ; Costa, FM; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
AUTORES: Rodrigues, J; Fernandes, AJS; Mata, D; Holz, T; Carvalho, RG; Fath F Allah; Ben, T; Gonzalez, D; Silva, RF; da Cunha, AF; Correia, MR; Alves, LC; Lorenz, K; Neves, AJ; Costa, FM; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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TÃTULO: Determination of Ga auto-incorporation in nominal InAlN epilayers grown by MOCVD Full Text
AUTORES: Smith, MD; Taylor, E; Sadler, TC; Zubialevich, VZ; Lorenz, K; Li, HN; O'Connell, J; Alves, E; Holmes, JD; Martin, RW; Parbrook, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 2, NÚMERO: 29
AUTORES: Smith, MD; Taylor, E; Sadler, TC; Zubialevich, VZ; Lorenz, K; Li, HN; O'Connell, J; Alves, E; Holmes, JD; Martin, RW; Parbrook, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 2, NÚMERO: 29
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TÃTULO: High optical and structural quality of GaN epilayers grown on ((2)over-bar01) beta-Ga2O3 Full Text
AUTORES: Muhammed, MM; Peres, M; Yamashita, Y; Morishima, Y; Sato, S; Franco, N; Lorenz, K; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
AUTORES: Muhammed, MM; Peres, M; Yamashita, Y; Morishima, Y; Sato, S; Franco, N; Lorenz, K; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review (vol 53, 060901, 2014)
AUTORES: Jose G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Jose G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Intense luminescence emission from rare-earth-doped MoO3 nanoplates and lamellar crystals for optoelectronic applications Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K; Piqueras, J; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K; Piqueras, J; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
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TÃTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
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TÃTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
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TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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