Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Ion Implantation into Nonconventional GaN Structures
AUTORES: Lorenz, Katharina;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 2
AUTORES: Lorenz, Katharina;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Contactless doping characterization of Ga2O3 using acceptor Cd probes Full Text
AUTORES: Barbosa, Marcelo B.; Correia, Joao Guilherme; Lorenz, Katharina; Lopes, Armandina M. L. ; G. N. P. Oliveira ; Fenta, Abel S.; Schell, Juliana; Teixeira, Ricardo; Nogales, Emilio; Mendez, Bianchi; Stroppa, Alessandro; Araujo, Joao Pedro ;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
AUTORES: Barbosa, Marcelo B.; Correia, Joao Guilherme; Lorenz, Katharina; Lopes, Armandina M. L. ; G. N. P. Oliveira ; Fenta, Abel S.; Schell, Juliana; Teixeira, Ricardo; Nogales, Emilio; Mendez, Bianchi; Stroppa, Alessandro; Araujo, Joao Pedro ;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Examining Different Regimes of Ionization-Induced Damage in GaN Through Atomistic Simulations
AUTORES: Sequeira, Miguel C.; Djurabekova, Flyura; Nordlund, Kai; Mattei, Jean Gabriel; Monnet, Isabelle; Grygiel, Clara; Alves, Eduardo; Lorenz, Katharina;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SMALL, VOLUME: 18, NÚMERO: 49
AUTORES: Sequeira, Miguel C.; Djurabekova, Flyura; Nordlund, Kai; Mattei, Jean Gabriel; Monnet, Isabelle; Grygiel, Clara; Alves, Eduardo; Lorenz, Katharina;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: SMALL, VOLUME: 18, NÚMERO: 49
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TÃTULO: Damage in InGaN/GaN bilayers upon Xe and Pb swift heavy ion irradiation
AUTORES: Jóźwik, P; Cardoso, JPS; Carvalho, DF; Correia, MRP; Sequeira, MC; Magalhães, S; Faye, DN; Grygiel, C; Monnet, I; Bross, AS; Wetzel, C; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: Physical Chemistry Chemical Physics, VOLUME: 24, NÚMERO: 42
AUTORES: Jóźwik, P; Cardoso, JPS; Carvalho, DF; Correia, MRP; Sequeira, MC; Magalhães, S; Faye, DN; Grygiel, C; Monnet, I; Bross, AS; Wetzel, C; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: Physical Chemistry Chemical Physics, VOLUME: 24, NÚMERO: 42
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TÃTULO: Eu3+ optical activation engineering in AlxGa1-xN nanowires for red solid-state nano-emitters
AUTORES: Cardoso, J; Jacopin, G; Faye, DN; Siladie, AM; Daudin, B; Alves, E; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MR; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED MATERIALS TODAY, VOLUME: 22
AUTORES: Cardoso, J; Jacopin, G; Faye, DN; Siladie, AM; Daudin, B; Alves, E; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MR; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED MATERIALS TODAY, VOLUME: 22
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TÃTULO: Unravelling the secrets of the resistance of GaN to strongly ionising radiation
AUTORES: Sequeira, MC; Mattei, JG; Vazquez, H; Djurabekova, F; Nordlund, K; Monnet, I; Mota Santiago, P; Kluth, P; Grygiel, C; Zhang, S; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: COMMUNICATIONS PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 1
AUTORES: Sequeira, MC; Mattei, JG; Vazquez, H; Djurabekova, F; Nordlund, K; Monnet, I; Mota Santiago, P; Kluth, P; Grygiel, C; Zhang, S; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: COMMUNICATIONS PHYSICS, VOLUME: 4, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Crystal mosaicity determined by a novel layer deconvolution Williamson-Hall method Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Mateus, R; Faye, DN; Pereira, DR; Peres, M; Lorenz, K; Díaz Guerra, C; Araújo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CrystEngComm, VOLUME: 23, NÚMERO: 10
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Mateus, R; Faye, DN; Pereira, DR; Peres, M; Lorenz, K; Díaz Guerra, C; Araújo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CrystEngComm, VOLUME: 23, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Self-powered proton detectors based on GaN core-shell p-n microwires Full Text
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Fernandes, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 118, NÚMERO: 19
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Fernandes, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 118, NÚMERO: 19
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TÃTULO: An insider view of the Portuguese ion beam laboratory
AUTORES: Alves, E; Lorenz, K; Catarino, N; Peres, M; Dias, M; Mateus, R; Alves, LC; Corregidor, V; Barradas, NP; Fonseca, M; Cruz, J ; Jesus, A;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS, VOLUME: 136, NÚMERO: 6
AUTORES: Alves, E; Lorenz, K; Catarino, N; Peres, M; Dias, M; Mateus, R; Alves, LC; Corregidor, V; Barradas, NP; Fonseca, M; Cruz, J ; Jesus, A;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS, VOLUME: 136, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Exploring swift-heavy ion irradiation of InGaN/GaN multiple quantum wells for green-emitters: the use of Raman and photoluminescence to assess the irradiation effects on the optical and structural properties
AUTORES: Cardoso, J; Ben Sedrine, N; Jozwik, P; Sequeira, MC; Wetzel, CM; Grygiel, C; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MRP;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 9, NÚMERO: 28
AUTORES: Cardoso, J; Ben Sedrine, N; Jozwik, P; Sequeira, MC; Wetzel, CM; Grygiel, C; Lorenz, K; Monteiro, T; Correia, MRP;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 9, NÚMERO: 28
