21
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films prepared by VHF-PECVD technology  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Pereira, L ; Martins, N; Canhola, P; Ferreira, I ; Nedev, N; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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22
TÍTULO: MIS photodiodes of polyrnorphous silicon deposited at higher growth rates by 27.12 MHz PECVD discharge
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Raniero, L; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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TÍTULO: Batch processing method to deposit a-Si : H films by PECVD
AUTORES: Raniero, L; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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TÍTULO: Silicon etching in CF(4)/O(2) and SF(6) atmospheres
AUTORES: Silva, A; Raniero, L; Ferreira, E; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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TÍTULO: Optical and morphological properties of annealed PbS thin films obtained from a chemical solution
AUTORES: Raniero, L; Ferreira, CL;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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TÍTULO: Spectral response of large area amorphous silicon solar cells
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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TÍTULO: Polymorphous silicon films produced in large area reactors by PECVD at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Cabarrocas, PRI; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon-Based Films held at the 2003 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON-BASED FILMS-2003, VOLUME: 762
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