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Al1-Xinxn/Gan Bilayers: Structure, Morphology, and Optical Properties
AuthID
P-003-5FD
12
Author(s)
Lorenz, K
·
Magalhaes, S
·
Franco, N
·
Barradas, NP
·
Darakchieva, V
·
Alves, E
·
Pereira, S
·
Correia, MR
·
Munnik, F
·
Martin, RW
·
O'Donnell, KP
·
Watson, IM
Tipo de Documento
Article
Year published
2010
Publicado
in
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS,
ISSN: 0370-1972
Volume: 247, Número: 7, Páginas: 1740-1746 (7)
Conference
E-Mrs Fall Meeting on Wide Band Gap Ii-Vi and Iii-V Semiconductors,
Date:
SEP 14-18, 2009,
Location:
Warsaw, POLAND,
Patrocinadores:
E-MRS
Indexing
Wos
®
Scopus
®
Crossref
®
7
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1002/pssb.200983656
SCOPUS
: 2-s2.0-77954567521
Wos
: WOS:000280263700035
Source Identifiers
ISSN
: 0370-1972
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