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Luis Miguel Nunes Pereira
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1998
1997
Order:
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Ano Asc
Cit. WOS Dsc
IF WOS Dsc
Cit. Scopus Dsc
IF Scopus Dsc
Título Asc
Título Dsc
Results:
10
20
30
40
50
Publicações Confirmadas: 149
111
TÃTULO:
Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon
Full Text
AUTORES:
Aguas, H
; Raniero, L;
Pereira, L
;
Fortunato, E
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics
in
THIN SOLID FILMS,
VOLUME:
451
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
112
TÃTULO:
Effect of the tunnelling oxide thickness and density on the performance of MIS photodiodes
Full Text
AUTORES:
Aguas, H
; Goullet, A;
Pereira, L
;
Fortunato, E
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics
in
THIN SOLID FILMS,
VOLUME:
451
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
113
TÃTULO:
Flexible position sensitive photodetectors based on a-Si : H hetero structures
Full Text
AUTORES:
Fortunato, E
;
Pereira, L
;
Aguas, H
;
Ferreira, I
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL,
VOLUME:
116,
NÚMERO:
1
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
114
TÃTULO:
Growth of polymorphous/nanocrystalline silicon films deposited by PECVD at 13.56 MHz
AUTORES:
Raniero, L;
Martins, R
;
Aguas, H
; Zang, S;
Ferreira, I
;
Pereira, L
;
Fortunato, E
; Boufendi, L;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
2nd International Materials Symposium
in
ADVANCED MATERIALS FORUM II,
VOLUME:
455-456
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
1
NO MEU:
ORCID
115
TÃTULO:
High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature
Full Text
AUTORES:
Fortunato, E
;
Pimentel, A
;
Pereira, L
; Goncalves, A;
Lavareda, G
;
Aguas, H
;
Ferreira, I
;
Carvalho, CN
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors
in
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS,
VOLUME:
338
INDEXADO EM:
WOS
NO MEU:
ResearcherID
116
TÃTULO:
High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature
Full Text
AUTORES:
Fortunato, E
;
Pimentel, A
;
Pereira, L
; Goncalves, A;
Lavareda, G
;
Aguas, H
;
Ferreira, I
;
Carvalho, CN
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Journal of Non-Crystalline Solids,
VOLUME:
338-340,
NÚMERO:
1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM:
Scopus
CrossRef
NO MEU:
ORCID
117
TÃTULO:
High quality conductive gallium-doped zinc oxide films deposited at room temperature
Full Text
AUTORES:
Fortunato, E
; Assuncao, V; Goncalves, A; Marques, A;
Aguas, H
;
Pereira, L
;
Ferreira, I
;
Vilarinho, P
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics
in
THIN SOLID FILMS,
VOLUME:
451
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
118
TÃTULO:
In-situ GIXRD characterization of the crystallization of Ni-Ti sputtered thin films
AUTORES:
Martins, RMS
;
Silva, RJC
;
Fernandes, FMB
;
Pereira, L
; Gordo, PR; Maneira, MJP; Schell, N;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
2nd International Materials Symposium
in
ADVANCED MATERIALS FORUM II,
VOLUME:
455-456
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
3
NO MEU:
ORCID
119
TÃTULO:
Influence of the deposition conditions on the properties of titanium oxide produced by r.f. magnetron sputtering
Full Text
AUTORES:
Barquinha, P
;
Pereira, L
;
Aguas, H
;
Fortunato, E
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Symposium on New Materials in Future Silicon Technology Held at the E-MAR 2004 Spring Meeting
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,
VOLUME:
7,
NÚMERO:
4-6
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
120
TÃTULO:
MIS photodiodes of polyrnorphous silicon deposited at higher growth rates by 27.12 MHz PECVD discharge
AUTORES:
Aguas, H
;
Pereira, L
;
Raniero, L
;
Fortunato, E
;
Martins, R
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
2nd International Materials Symposium
in
ADVANCED MATERIALS FORUM II,
VOLUME:
455-456
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
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