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Manuel Antonio dos Santos Barroso
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R-000-A0V
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Article (20)
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2001
2000
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Ano Asc
Cit. WOS Dsc
IF WOS Dsc
Cit. Scopus Dsc
IF Scopus Dsc
Título Asc
Título Dsc
Results:
10
20
30
40
50
Publicações Confirmadas: 20
11
TÃTULO:
Ab initio modeling of interstitial oxygen in crystalline SiGe alloys
Full Text
AUTORES:
Torres, VJB
;
Coutinho, J
;
Briddon, PR
;
Barroso, M
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
in
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS,
VOLUME:
352,
NÚMERO:
9-20
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
5
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
12
TÃTULO:
Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations
AUTORES:
Coutinho, J
; Oberg, S;
Torres, VJB
;
Barroso, M
;
Jones, R
;
Briddon, PR
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
PHYSICAL REVIEW B,
VOLUME:
73,
NÚMERO:
23
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
51
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
13
TÃTULO:
Early SiO2 precipitates in Si: Vacancy-oxygen versus interstitial-oxygen clusters
Full Text
AUTORES:
Torres, VJB
;
Coutinho, J
;
Jones, R
;
Barroso, M
; Oberg, S;
Briddon, PR
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
23rd International Conference on Defects in Semiconductors
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER,
VOLUME:
376,
NÚMERO:
1
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
11
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
14
TÃTULO:
Electronic structure and Jahn-Teller instabilities in a single vacancy in Ge
Full Text
AUTORES:
Coutinho, J
;
Jones, R
;
Torres, VJB
;
Barroso, M
; Oberg, S;
Briddon, PR
;
PUBLICAÇÃO:
2005
,
FONTE:
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,
VOLUME:
17,
NÚMERO:
48
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
54
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
15
TÃTULO:
Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys
Full Text
AUTORES:
Balsas, A
;
Torres, VJB
;
Coutinho, J
; Jones, R; Hourahine, B; Briddon, PR;
Barroso, M
;
PUBLICAÇÃO:
2005
,
FONTE:
Journal of Physics Condensed Matter,
VOLUME:
17,
NÚMERO:
22
INDEXADO EM:
Scopus
CrossRef
NO MEU:
ORCID
16
TÃTULO:
Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys
Full Text
AUTORES:
Balsas, A
;
Torres, VJB
;
Coutinho, J
;
Jones, R
; Hourahine, B;
Briddon, PR
;
Barroso, M
;
PUBLICAÇÃO:
2005
,
FONTE:
1st International Workshop on Coordination Action on Defects Relevent to Engineering Silicon-Based Devices
in
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,
VOLUME:
17,
NÚMERO:
22
INDEXADO EM:
WOS
NO MEU:
ResearcherID
17
TÃTULO:
Calculation of deep states in SiGe alloys: Interstitial carbon-oxygen complexes
AUTORES:
Balsas, A
;
Coutinho, J
;
Torres, VJB
;
Briddon, PR
;
Barroso, M
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
PHYSICAL REVIEW B,
VOLUME:
70,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
19
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
18
TÃTULO:
Electronic levels of interstitial carbon and carbon-oxygen centers in SiGe alloys
Full Text
AUTORES:
Coutinho, J
;
Balsas, A
;
Torres, VJB
;
Briddom, PR
;
Barroso, M
;
PUBLICAÇÃO:
2004
,
FONTE:
Symposium on Material Science Issues in Advanced CMOS Source-Drain Engineeing held at the E-MRS 2004 Spring Meeting
in
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY,
VOLUME:
114,
NÚMERO:
SPEC. ISS.
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
19
TÃTULO:
Solid-fluid coexistence of the Lennard-Jones system from absolute free energy calculations
Full Text
AUTORES:
Barroso, MA
;
Ferreira, AL
;
PUBLICAÇÃO:
2002
,
FONTE:
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,
VOLUME:
116,
NÚMERO:
16
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
56
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
20
TÃTULO:
Temperature and density extrapolations in canonical ensemble Monte Carlo simulations
AUTORES:
Ferreira, AL
;
Barroso, MA
;
PUBLICAÇÃO:
2000
,
FONTE:
PHYSICAL REVIEW E,
VOLUME:
61,
NÚMERO:
2
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
5
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
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