91
TÍTULO: Information entropy and particle production in branching processes
AUTORES: Brogueira, P ; deDeus, JD ; daSilva, IP ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: PHYSICAL REVIEW D, VOLUME: 53, NÚMERO: 9
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92
TÍTULO: Photoconductive analysis of defect density of hydrogenated amorphous silicon during room-temperature plasma posthydrogenation, light soaking, and thermal annealing
AUTORES: Condo, JP ; Goncalves, M; Brogueira, P ; Schotten, V; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 53, NÚMERO: 4
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93
TÍTULO: The influence of hydrogen dilution and substrate temperature in hot-wire deposition of amorphous and microcrystalline silicon with filament temperatures between 1900 and 2500 degrees C
AUTORES: Conde, JP ; Brogueira, P ; Castanha, R; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 14th Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1996 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1996, VOLUME: 420
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94
TÍTULO: Amorphous-to-microcrystalline silicon transition in hot-wire chemical vapor deposition
AUTORES: Brogueira, P ; Chu, V; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 377
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95
TÍTULO: LOW FILAMENT TEMPERATURE DEPOSITION OF A-SI-H BY HOT-WIRE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  Full Text
AUTORES: BROGUEIRA, P ; CONDE, JP ; AREKAT, S; CHU, V ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 78, NÚMERO: 6
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96
TÍTULO: Optoelectronic properties of high-gap amorphous silicon-carbon alloys
AUTORES: Chu, V; Conde, JP ; Brogueira, P ; Micaelo, P; Jarego, JP; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 377
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NO MEU: ORCID
97
TÍTULO: TRANSPORT AND PHOTOLUMINESCENCE OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-CARBON ALLOYS  Full Text
AUTORES: CHU, V ; CONDE, JP ; JAREGO, J; BROGUEIRA, P ; RODRIGUEZ, J; BARRADAS, N ; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
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TÍTULO: LOW FILAMENT TEMPERATURE DEPOSITION OF A-SI-H BY CATALYTIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AUTORES: BROGUEIRA, P ; GREBNER, S; WANG, F; SCHWARZ, R ; CHU, V ; CONDE, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1993 MRS Spring Meeting of the Materials-Research-Society in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1993, VOLUME: 297
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