Rodrigo Ferrao Paiva Martins


AuthID: R-000-FKV

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241
TÍTULO: Effect of annealing on gold rectifying contacts in amorphous silicon
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
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242
TÍTULO: Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
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243
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide growth by H2O2 oxidation on the performance of a-Si : H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Perreira, L; Silva, RJC ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS
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244
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide thickness and density on the performance of MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Goullet, A; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
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245
TÍTULO: Enhancement of the electrical properties of ITO deposited on polymeric substrates by using a ZnO buffer layer
AUTORES: Fortunato, E ; Goncalves, A; de Carvalho, CN ; Pimentel, A ; Lavareda, G ; Marques, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Flexible Electronics-Materials and Device Technology held at the 2004 MRS Spring Meeting in FLEXIBLE ELECTRONICS 2004-MATERIALS AND DEVICE TECHNOLOGY, VOLUME: 814
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 2
246
TÍTULO: Ethanol vapour detector based in porous a-Si : H films produced by HW-CVD technique  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on New Materials and Technologies in Sensor Applications in SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, VOLUME: 100, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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247
TÍTULO: Excellence in European universities
AUTORES: Hermann Grimmeiss; Rodrigo Martins ; Jose Martinez M Duart;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: MATERIALS TODAY, VOLUME: 7, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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248
TÍTULO: Flexible position sensitive photodetectors based on a-Si : H hetero structures  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pereira, L ; Aguas, H ; Ferreira, I; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, VOLUME: 116, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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249
TÍTULO: Growth of polymorphous/nanocrystalline silicon films deposited by PECVD at 13.56 MHz
AUTORES: Raniero, L; Martins, R ; Aguas, H ; Zang, S; Ferreira, I ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Boufendi, L;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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250
TÍTULO: High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Goncalves, A; Lavareda, G ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Carvalho, CN ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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