Sérgio Manuel de Sousa Pereira


AuthID: R-000-GF5

Publicações Confirmadas: 72



61
TÍTULO: Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from x-ray reciprocal space mapping (vol 80, pg 3913, 2002)  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
62
TÍTULO: Strain relaxation and compositional analysis of InGaN/GaN layers by Rutherford backscattering  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 190, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
63
TÍTULO: Structural and optical properties of InGaN/GaN layers close to the critical layer thickness  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; O'Donnell, KP; Alves, E ; Franco, N; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 85
NO MEU: ORCID
64
TÍTULO: Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa1-xN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 78, NÚMERO: 15
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 81
NO MEU: ORCID
65
TÍTULO: Compositional pulling effects in InxGa1-x/GaN layers: A combined depth-resolved cathodoluminescence and Rutherford backscattering/channeling study
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 64, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 128
NO MEU: ORCID
66
TÍTULO: Depth resolved studies of indium content and strain in InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
NO MEU: ORCID
67
TÍTULO: Indium content determination related with structural and optical properties of InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Soares, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th European Workshop on Gallium Nitride in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 230, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
68
TÍTULO: Indium distribution within InxGa1-xN epitaxial layers: A combined resonant Raman scattering and Rutherford backscattering study  Full Text
AUTORES: Correia, R; Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Gleize, J; Frandon, J; Renucci, MA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
69
TÍTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 46
NO MEU: ORCID
70
TÍTULO: Raman spectroscopy studies in InGaN/GaN wurtzite epitaxial films
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Monteiro, T; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
Página 7 de 8. Total de resultados: 72.

Um espaço para investigadores e suas Instituições

Links Úteis

Ajuda

© 2024 CRACS & Inesc TEC - All Rights Reserved Política de Privacidade | Terms of Service