Vitor José Babau Torres


AuthID: R-000-HKG

Publicações Confirmadas: 64



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TÍTULO: Local vibrational modes of Zn-H-As defects in GaAs, ZnSe and ZnTe  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 33, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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42
TÍTULO: Local vibrations on hydrogen dimers in dilute SiGe crystalline solutions  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Materials Science and Device Issues for Futrue Si-Based Technologies held at the 2005 EMRS Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 124, NÚMERO: SUPPL.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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43
TÍTULO: Metastable VO2 complexes in silicon: experimental and theoretical modeling studies
AUTORES: Murin, LI; Lindstrom, J; Markevich, VP; Medvedeva, IF; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2005) in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XI, VOLUME: 108-109
INDEXADO EM: Scopus WOS
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44
TÍTULO: Theoretical investigations of the energy levels of defects in germanium
AUTORES: Jones, R; Carvalho, A; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 11th International Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2005) in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XI, VOLUME: 108-109
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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45
TÍTULO: Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Balsas, A ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Hourahine, B; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 1st International Workshop on Coordination Action on Defects Relevent to Engineering Silicon-Based Devices in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: WOS
46
TÍTULO: Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Balsas, A ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Hourahine, B; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Journal of Physics Condensed Matter, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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47
TÍTULO: Calculation of deep states in SiGe alloys: Interstitial carbon-oxygen complexes
AUTORES: Balsas, A ; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 70, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 19
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48
TÍTULO: Electronic levels of interstitial carbon and carbon-oxygen centers in SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Balsas, A ; Torres, VJB ; Briddom, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Material Science Issues in Advanced CMOS Source-Drain Engineeing held at the E-MRS 2004 Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 114, NÚMERO: SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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49
TÍTULO: Structure and properties of vacancy-oxygen complexes in Si1-xGex alloys
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Coutinho, J ; Jones, R; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR; Murin, LI; Dobaczewski, L; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 69, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 31
NO MEU: ORCID
50
TÍTULO: Ab initio modeling of Be-H and Zn-H complexes in Si  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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