Vitor José Babau Torres


AuthID: R-000-HKG

Publicações Confirmadas: 64



51
TÍTULO: Ab initio modeling of N-H, P-H and As-H defects in ZnSe  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
52
TÍTULO: Electrical activity of chalcogen-hydrogen defects in silicon
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 67, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 72
NO MEU: ORCID
53
TÍTULO: Electronic properties of vacancy-oxygen complexes in SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR; Auret, FD; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
NO MEU: ORCID
54
TÍTULO: Electronic structure of divacancy-hydrogen complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Workshop on the Physics of Group IV Materials in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 15, NÚMERO: 39
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
55
TÍTULO: Shallow donor activity of S-H, Se-H, and Te-H complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Resende, A; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 235, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
56
TÍTULO: Vibrational modes of sulfur defects in GaP
AUTORES: Leigh, RS; Sangster, MJL; Newman, RC; Goss, JP; Jones, R; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
57
TÍTULO: Mg-H and Be-H complexes in cubic boron nitride
AUTORES: Pinho, NMC; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Conference on Doping Issues in Wide Band-Gap Semiconductors in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 13, NÚMERO: 40
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
NO MEU: ORCID
58
TÍTULO: Nitrogen-hydrogen defects in GaP  Full Text
AUTORES: Dixon, P; Richardson, D; Jones, R; Latham, CD; Oberg, S; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 8th International Conference on Shallow-Level Centres in Semiconductors (SLCS-(*) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 210, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
NO MEU: ORCID
59
TÍTULO: Dynamic properties of interstitial carbon and carbon-carbon pair defects in silicon
AUTORES: Leary, P; Jones, R; Oberg, S; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 55, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 42
NO MEU: ORCID
60
TÍTULO: N-vacancy defects in c-BN and w-BN
AUTORES: Mota, R; Piquini, P; Torres, V ; Fazzio, A;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID
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