Rui Nuno Marques Pereira


AuthID: R-000-SVV

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TÍTULO: Solution-Processed Networks of Silicon Nanocrystals: The Role of Internanocrystal Medium on Semiconducting Behavior
AUTORES: Pereira, RN ; Niesar, S; You, WB; da Cunha, AF ; Erhard, N; Stegner, AR; Wiggers, H; G Willinger; Stutzmann, M; Brandt, MS;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 115, NÚMERO: 41
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 32
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12
TÍTULO: Defect reduction in silicon nanoparticles by low-temperature vacuum annealing  Full Text
AUTORES: Niesar, S; Stegner, AR; Pereira, RN ; Hoeb, M; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 26
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TÍTULO: Dielectric screening versus quantum confinement of phosphorus donors in silicon nanocrystals investigated by magnetic resonance
AUTORES: Pereira, RN ; Stegner, AR; Andlauer, T; Klein, K; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 79, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 30
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TÍTULO: Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
AUTORES: Stegner, AR; Pereira, RN ; Lechner, R; Klein, K; Wiggers, H; Stutzmann, M; Brandt, MS;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 86
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TÍTULO: Effect of Ge doping on the creation of luminescent radiation defects in MBE Si  Full Text
AUTORES: Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Leitao, JP ; Carmo, MC; Pereira, RN ; Hansen, JL; Larsen, AN;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 248, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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16
TÍTULO: Hydrogen self-trapping near silicon atoms in Ge-rich SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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17
TÍTULO: Local modes of hydrogen defects in Si : Ge and Ge : Si  Full Text
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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18
TÍTULO: Theory of anharmonicity on bond-centered hydrogen oscillators in silicon  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Nielsen, BB; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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19
TÍTULO: Anharmonicity and lattice coupling of bond-centered hydrogen and interstitial oxygen defects in monoisotopic silicon crystals
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Ohya, T; Itoh, KM; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 72, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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20
TÍTULO: Local vibrations on hydrogen dimers in dilute SiGe crystalline solutions  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Materials Science and Device Issues for Futrue Si-Based Technologies held at the 2005 EMRS Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 124, NÚMERO: SUPPL.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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Página 2 de 3. Total de resultados: 30.

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