Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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201
TÍTULO: Phase transitions in erbium-doped silicon exposed to laser radiation  Full Text
AUTORES: Batalov, RI; Bayazitov, RM; Kryzhkov, DI; Gajduk, PI; Gatskevich, EI; Ivlev, GD; Marques, CP; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED SPECTROSCOPY, VOLUME: 76, NÚMERO: 2
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202
TÍTULO: Photosensitivity of nanocrystalline ZnO films grown by PLD  Full Text
AUTORES: Ayouchi, R ; Bentes, L; Casteleiro, C; Conde, O ; Marques, CP; Alves, E ; Moutinho, AMC ; Marques, HP; Teodoro, O ; Schwarz, R ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 255, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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203
TÍTULO: Radiation damage in ZnO ion implanted at 15 K  Full Text
AUTORES: Wendler, E; Bilani, O; Gaertner, K; Wesch, W; Hayes, M; Auret, FD; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 23rd International Conference on Atomic Collisions in Solids in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 16
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204
TÍTULO: Role of impurities and dislocations for the unintentional n-type conductivity in InN  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Barradas, NP ; Y Xie; Lorenz, K ; Alves, E ; Schubert, M; Persson, POA; Giuliani, F; Munnik, F; Hsiao, CL; Tu, LW; Schaff, WJ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 3rd South African Conference on Photonic Materials in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 22
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205
TÍTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
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206
TÍTULO: Stable In-defect complexes in GaN and AlN  Full Text
AUTORES: Schmitz, J; Niederhausen, J; Penner, J; Lorenz, K ; Alves, E ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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207
TÍTULO: Stopping Power of Different Ions in Si Measured with a Bulk Sample Method and Bayesian Inference Data Analysis  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Siketić, Z; Bogdanović B Radović; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 20th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, VOLUME: 1099
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208
TÍTULO: Structural and electrical properties of Al doped ZnO thin films deposited at room temperature on poly(vinilidene fluoride) substrates  Full Text
AUTORES: Oliveira, C; Rebouta, L ; de Lacerda Aroso, T ; Lanceros Mendez, S ; Viseu, T ; Tavares, CJ ; Tovar, J; Ferdov, S ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 6th Symposium on Thin Films for Large Area Electronics held at the E-MRS Spring Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 517, NÚMERO: 23
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209
TÍTULO: Structural and optical characterization of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Barradas, NP ; Alves, E ; Roqan, IS; Nogales, E; Martin, RW; O'Donnell, KP; Gloux, F; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 16
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210
TÍTULO: Structural and optical properties of nitrogen doped ZnO films  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Franco, N; Barradas, NP ; Munnik, F; Monteiro, T ; Peres, M; Wang, J; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 5th European Topical Conference on Hard Coating in VACUUM, VOLUME: 83, NÚMERO: 10
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