Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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341
TÍTULO: Simulation of deep resonances in elastic backscattering data  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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342
TÍTULO: Stability and luminescence studies of Tm and Er implanted ZnO single crystals  Full Text
AUTORES: Rita, E; Alves, E ; Wahl, U ; Correia, JG ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Neves, A ; Peres, M;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 14th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 2004) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 242, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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343
TÍTULO: Structural and optical characterization of light emitting InGaN/GaN epitaxial layers
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
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344
TÍTULO: Structural evolution in ZrNxOy thin films as a function of temperature  Full Text
AUTORES: Cunha, L ; Vaz, F ; Moura, C ; Rebouta, L ; Carvalho, P; Alves, E ; Cavaleiro, A ; Goudeau, P; Riviere, JP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 200, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 39
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345
TÍTULO: Structure and optical properties of sapphire implanted with boron at room temperature and 1000 degrees C  Full Text
AUTORES: Carl J McHargue; Alves, E ; Ononye, LC; Marques, C;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 13th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2005) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 250, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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346
TÍTULO: Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN  Full Text
AUTORES: Wojtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 243, NÚMERO: 7
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347
TÍTULO: Study of the oxygen role in the photoluminescence of erbium doped nanocrystalline silicon embedded in a silicon amorphous matrix  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Losurdo, M; Monteiro, T ; Stepikhova, M; Soares, MJ ; Peres, M; Alves, E ; Conde, O ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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348
TÍTULO: Synthesis, surface modification and optical properties of Tb3+-doped ZnO nanocrystals  Full Text
AUTORES: Pereira, AS ; Peres, M; Soares, MJ ; Alves, E ; Neves, A ; Monteiro, T ; Trindade, T ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 17, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 60
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349
TÍTULO: TEM investigation of Tm implanted GaN, the influence of high temperature annealing  Full Text
AUTORES: Wojtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
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350
TÍTULO: The structure of crystallographic damage in GaN formed during rare earth ion implantation with and without an ultrathin AlN capping layer  Full Text
AUTORES: Gloux, F; Ruterana, P; Wojtowicz, T; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
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