Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

Publicações Confirmadas: 597



581
TÍTULO: Radiation damage annealing of Hg implanted InP  Full Text
AUTORES: Correia, JG ; Marques, JG ; Soares, JC ; Alves, E ; daSilva, MF; Freitag, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Symposium 1 on New Trends in Ion Beam Processing of Materials, at the E-MRS 96 Spring Meeting in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 120, NÚMERO: 1-4
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582
TÍTULO: Rutherford backscattering and photoluminescence studies of erbium implanted GaAs
AUTORES: Daly, SE; Henry, MO; Alves, E ; Soares, JC ; Gwilliam, R; Sealy, BJ; Freitag, K; Vianden, R; Stievenard, D;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Proceedings of the 1996 MRS Spring Symposium in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 422
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583
TÍTULO: Structural properties of CdTe and Hg1-xCdxTe epitaxial layers grown on sapphire substrates  Full Text
AUTORES: Sochinskii, NV; Soares, JC; Alves, E ; daSilva, MF; Franzosi, P; Bernardi, S; Dieguez, E;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Symposium D on Purification, Doping and Defects in II-VI Materials, at the 1995 E-MRS Spring Conference in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 161, NÚMERO: 1-4
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584
TÍTULO: Structural properties of Hg1-xMnxTe layers grown on CdTe substrates by liquid phase epitaxy
AUTORES: Sochinskii, NV; Soares, JC ; Alves, E ; daSilva, MF; Franzosi, P; Dieguez, E;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 11, NÚMERO: 4
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585
TÍTULO: The substitutionality of hafnium in sapphire by ion implantation and low temperature annealing (Reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics B, vol 106, pg 602-605, 1995)
AUTORES: Marques, JG; Melo, AA; Soares, JC; Alves, E ; daSilva, MF; Freitag, K;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 95) in ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS
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586
TÍTULO: Incorporation and stability of erbium in sapphire by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; daSilva, MF; vandenHoven, GN; Polman, A; Melo, AA; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 95) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 106, NÚMERO: 1-4
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587
TÍTULO: The substitutionality of hafnium in sapphire by ion implantation and low temperature annealing  Full Text
AUTORES: Marques, JG ; Melo, AA; Soares, JC ; Alves, E ; daSilva, MF; Freitag, K;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 95) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 106, NÚMERO: 1-4
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588
TÍTULO: HYPERFINE FIELDS OF MERCURY IN SINGLE-CRYSTALLINE COBALT  Full Text
AUTORES: MARQUES, JG ; CORREIA, JG ; MELO, AA; SOARES, JC ; ALVES, E ; DASILVA, MF;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: 6th Joint Magnetism and Magnetic Materials-Intermag Conference in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 76, NÚMERO: 10
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589
TÍTULO: THE LATTICE SITE OF AU IN BE AFTER 24-H HG-197M ISOTOPE IMPLANTATION AND DECAY  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; CORREIA, JG ; MARQUES, JG ; MELO, AA; DASILVA, MF; SOARES, JC ; HAAS, H;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: 11th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA-11) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 85, NÚMERO: 1-4
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590
TÍTULO: Lattice location and photoluminescence of Er in GaAs and Al0.5Ga0.5As
AUTORES: Alves, E ; Da Silva, MF; Melo, AA; Soares, JC ; Van Den Hoven, GN; Polman, A; Evans, KR; Jones, CR;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the 1993 Materials Society Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 301
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