41
TÍTULO: Polycrystalline intrinsic zinc oxide to be used in transparent electronic devices  Full Text
AUTORES: Pimentel, A ; Fortunato, E ; Goncalves, A; Marques, A; Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 47
42
TÍTULO: Role of buffer layer on the performances of amorphous silicon solar cells with incorporated nanoparticles produced by plasma enhanced chemical vapor deposition at 27.12 MHz  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Zhang, S; Aguas, H ; Ferreira, I ; Igreja, R ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
43
TÍTULO: Study of a-SiC : H buffer layer on nc-Si/a-Si : H solar cells deposited by PECVD technique.  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Ferreira, I ; Aguas, H ; Zhang, S; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference in Conference Record of the Thirty-First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 2005
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
44
TÍTULO: Super linear position sensitive detectors using MIS structures  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Costa, D; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium of the European-Materials-Research-Society on Si-Based Photonics - Towards True Monolithic Integration in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 27, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS
45
TÍTULO: Batch processing method to deposit a-Si : H films by PECVD
AUTORES: Raniero, L; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
46
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films prepared by VHF-PECVD technology  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Pereira, L ; Martins, N; Canhola, P; Ferreira, I ; Nedev, N; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
47
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, SB; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338
INDEXADO EM: WOS
48
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, S; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
49
TÍTULO: Composition, structure and optical characteristics of polymorphous silicon films deposited by PECVD at 27.12 MHz
AUTORES: Martins, R ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Raniero, L; Cabarrocas, PRI;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
50
TÍTULO: Detection limits of a nip a-Si:H linear array position sensitive detector
AUTORES: Martins, R ; Costa, D; Aguas, H ; Soares, F; Marques, A; Ferreira, I ; Borges, P; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology - 2004 in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 808
INDEXADO EM: Scopus
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