João Guilherme Martins Correia


AuthID: R-000-6ZY

Publicações Confirmadas: 123



101
TÍTULO: Lattice sites and stability of implanted Er in FZ and CZ Si
AUTORES: Wahl, U; Correia, JG ; Langouche, G; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Materials and Devices for Silicon-Based Optoelectronics, at the 1997 MRS Fall Meeting in MATERIALS AND DEVICES FOR SILICON-BASED OPTOELECTRONICS, VOLUME: 486
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102
TÍTULO: Microscopic studies of radioactive Hg implanted in YBa2Cu3O6+x superconducting thin films  Full Text
AUTORES: Amaral, VS ; Correia, JG ; Lourenco, AACS; Marques, JG ; Mendes, JA ; Baptista, MA; Araujo, JP ; Moreira, JM; Sousa, JB ; Alves, E ; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: International Conference on Magnetism in JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, VOLUME: 177, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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103
TÍTULO: Radioactive ion beams and techniques for solid state research  Full Text
AUTORES: Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA-13) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 136
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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104
TÍTULO: The influence of oxygen on the lattice sites of rare earths in silicon  Full Text
AUTORES: Wahl, U; Vantomme, A; Langouche, G; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Light Emission from Silicon - Procress Towards Si-based Optoelectronics at the Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 80, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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105
TÍTULO: Acceptor-hydrogen interaction in InAs
AUTORES: Burchard, A; Correia, JG ; Deicher, M; Forkel Wirth, D; Magerle, R; Prospero, A; Stotzler, A;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
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106
TÍTULO: Direct evidence for stability of tetrahedral interstitial Er in Si up to 900°C
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Langouche, G; Marques, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 258-263, NÚMERO: 9993
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107
TÍTULO: Direct evidence for tetrahedral interstitial Er in Si
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; DeWachter, J; Moons, R; Langouche, G; Marques, JG ; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 11
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108
TÍTULO: Lattice sites and damage annealing of implanted Tm and Er in Si
AUTORES: Wahl, U; Correia, JG ; De Wachter, J; Langouche, G; Marques, JG ; Moons, R; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Symposium on Defects and Diffusion in Silicon Processing in DEFECTS AND DIFFUSION IN SILICON PROCESSING, VOLUME: 469
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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109
TÍTULO: Microscopic studies of implanted As-73 in diamond  Full Text
AUTORES: Correia, JG ; Marques, JG ; Alves, E ; ForkelWirth, D; Jahn, SG; Restle, M; Dalmer, M; Hofsass, H; BharuthRam, K;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 10th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-96) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 127
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110
TÍTULO: Ion beam channeling and hyperfine interaction analysis for the characterization of stoichiometry and anti-site population in LiNbO3  Full Text
AUTORES: Kling, A ; Rebouta, L ; Marques, JG ; Correia, JG ; daSilva, MF; Dieguez, E; AgulloLopez, F; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 12th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA-12) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 118, NÚMERO: 1-4
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