José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

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TÍTULO: Electronic structure modification of Si nanocrystals with F-4-TCNQ
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Barroso, M ; Silva, EL; Oberg, S; Rayson, M; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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12
TÍTULO: Electronic structure of Zn, Cu and Ni impurities in germanium  Full Text
AUTORES: Silva, EL; Coutinho, J ; Carvalho, A; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 23, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
13
TÍTULO: Influence of Ge content on the optical properties of X and W centers in dilute Si-Ge alloys
AUTORES: Leitao, JP ; Carvalho, A; Coutinho, J ; Pereira, RN ; Santos, NM; Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Barroso, M ; Lundsgaard L Hansen; Nylandsted N Larsen; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS
14
TÍTULO: Radiation-induced defect reactions in tin-doped Ge crystals
AUTORES: Vladimir P Markevich; Anthony R Peaker; Bruce Hamilton; Valentin V Litvinov; Yurii M Pokotilo; Alla N Petukh; Stanislav B Lastovskii; Jose Coutinho ; Mark J Rayson; Patrick Briddon; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 14th International Biannual Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST2011 in Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, VOLUME: 178-179
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 3
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15
TÍTULO: Structure and electronic properties of trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Dobaczewski, L; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 208, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 24
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16
TÍTULO: Surface-phosphorus interaction in Si nanocrystals  Full Text
AUTORES: Carvalho, A; Celikkol, B; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2010 in Journal of Physics: Conference Series, VOLUME: 281, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 4
NO MEU: ORCID
17
TÍTULO: The oxygen dimer in Si: Its relationship to the light-induced degradation of Si solar cells?  Full Text
AUTORES: Murin, LI; Tolkacheva, EA; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Monakhov, E; Svensson, BG; Lindstrom, JL; Santos, P; Coutinho, J ; Carvalho, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 98, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 35
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18
TÍTULO: Tin-vacancy complex in germanium  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Litvinov, VV; Yu. M Pokotilo; Lastovskii, SB; Coutinho, J ; Carvalho, A; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 20
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19
TÍTULO: Electronic effects in the formation of apparently noisy scanning tunneling microscopy images of Sr on Si(111)-7x7
AUTORES: Zhachuk, R; Olshanetsky, B; Coutinho, J ; Pereira, S ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15
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20
TÍTULO: Electronic structural details of donor-vacancy complexes in Si-doped Ge and Ge-doped Si  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Castro, F; Torres, VJB ; Carvalho, A; Barroso, M ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Silicon and Germanium Issues for Future CMOS Devices held at the 2009 E-MRS Spring Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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