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Katharina Lorenz
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R-000-90E
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Article (106)
Proceedings Paper (22)
Review (1)
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2003
2002
2001
2000
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Ano Asc
Cit. WOS Dsc
IF WOS Dsc
Cit. Scopus Dsc
IF Scopus Dsc
Título Asc
Título Dsc
Results:
10
20
30
40
50
Publicações Confirmadas: 129
41
TÃTULO:
Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN
Full Text
AUTORES:
Redondo Cubero, A
;
Lorenz, K
; Gago, R;
Franco, N
;
di Forte D Poisson
;
Alves, E
; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,
VOLUME:
43,
NÚMERO:
5
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
42
TÃTULO:
Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures
Full Text
AUTORES:
Magalhaes, S
;
Lorenz, K
;
Franco, N
;
Barradas, NP
;
Alves, E
;
Monteiro, T
; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices
in
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS,
VOLUME:
42,
NÚMERO:
10-11
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
43
TÃTULO:
Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation
Full Text
AUTORES:
Magalhaes, S
;
Peres, M
; Fellmann, V; Daudin, B;
Neves, AJ
;
Alves, E
;
Monteiro, T
;
Lorenz, K
;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
VOLUME:
108,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
44
TÃTULO:
High temperature annealing of Europium implanted AlN
Full Text
AUTORES:
Lorenz, K
;
Magalhaes, S
;
Alves, E
;
Peres, M
;
Monteiro, T
;
Neves, AJ
; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators
in
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS,
VOLUME:
268,
NÚMERO:
19
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
4
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
45
TÃTULO:
Hydrogen in InN: A ubiquitous phenomenon in molecular beam epitaxy grown material
Full Text
AUTORES:
Darakchieva, V
;
Lorenz, K
;
Barradas, NP
;
Alves, E
; Monemar, B; Schubert, M;
Franco, N
; Hsiao, CL; Chen, LC;
Schaff, WJ
; Tu, LW; Yamaguchi, T; Nanishi, Y;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
96,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
46
TÃTULO:
Identification of the prime optical center in GaN:Eu3+
AUTORES:
Roqan, IS; O'Donnell, KP;
Martin, RW
; Edwards, PR; Song, SF; Vantomme, A;
Lorenz, K
;
Alves, E
; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
PHYSICAL REVIEW B,
VOLUME:
81,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
47
TÃTULO:
Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11-22) InGaN layers
Full Text
AUTORES:
Das, A;
Magalhaes, S
; Kotsar, Y; Kandaswamy, PK; Gayral, B;
Lorenz, K
;
Alves, E
;
Ruterana, P
; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
96,
NÚMERO:
18
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
48
TÃTULO:
Influence of thermal annealing on the structural and optical properties of GaN/AlN quantum dots
Full Text
AUTORES:
Peres, M
;
Neves, AJ
;
Monteiro, T
;
Magalhaes, S
;
Alves, E
;
Lorenz, K
; Okuno Vila, H; Fellmann, V; Bougerol, C; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors
in
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS,
VOLUME:
247,
NÚMERO:
7
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
4
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
49
TÃTULO:
Lattice site location of optical centers in GaN:Eu light emitting diode material grown by organometallic vapor phase epitaxy
Full Text
AUTORES:
Lorenz, K
;
Alves, E
; Roqan, IS; O'Donnell, KP; Nishikawa, A; Fujiwara, Y; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
97,
NÚMERO:
11
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
|
ResearcherID
50
TÃTULO:
Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice
AUTORES:
Peres, M
;
Neves, AJ
;
Monteiro, T
;
Magalhaes, S
;
Franco, N
;
Lorenz, K
;
Alves, E
; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO:
2010
,
FONTE:
2nd International Conference on Advanced Nano Materials
in
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,
VOLUME:
10,
NÚMERO:
4
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
:
3
NO MEU:
ORCID
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