Maria do Rosário Pimenta Correia
AuthID: R-000-B8B
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TÃTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) layers Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
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TÃTULO: Study of damage formation and annealing of implanted III-nitride semiconductors for optoelectronic devices Full Text
AUTORES: Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, E; Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Correia, MR; Monteiro, T; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 379
AUTORES: Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, E; Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Correia, MR; Monteiro, T; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 379
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TÃTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
AUTORES: Lorenz, K; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
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TÃTULO: Site Redistribution, Partial Frozen-in Defect Chemistry, and Electrical Properties of Ba1-x(Zr,Pr)O3-delta
AUTORES: Antunes, I; Milchalev, S; Mather, GC; Kharton, VV; Figueiras, FG ; Alves, A; Rodrigues, J; Correia, MR; Frade, JR; Fagg, DP;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: INORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 55, NÚMERO: 17
AUTORES: Antunes, I; Milchalev, S; Mather, GC; Kharton, VV; Figueiras, FG ; Alves, A; Rodrigues, J; Correia, MR; Frade, JR; Fagg, DP;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: INORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 55, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Electrical insulation properties of RF-sputtered LiPON layers towards electrochemical stability of lithium batteries
AUTORES: Vieira, EMF; Ribeiro, JF; Silva, MM; Barradas, NP; Alves, E; Alves, A; Correia, MR; Goncalves, LM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 48
AUTORES: Vieira, EMF; Ribeiro, JF; Silva, MM; Barradas, NP; Alves, E; Alves, A; Correia, MR; Goncalves, LM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 48
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TÃTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Spectroscopic Analysis of Eu3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires (vol 119, pg 17954, 2015)
AUTORES: Rodrigues, J; Leitao, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
AUTORES: Rodrigues, J; Leitao, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID49
TÃTULO: Diamond-SAW devices: A reverse fabrication method
AUTORES: Debarati Mukherjee; Filipe J Oliveira; Rui F Silva; José F Carreira; Luis Rino; Maria R Correia; Shlomo Z Rotter; Luis N Alves; Joana C Mendes;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Debarati Mukherjee; Filipe J Oliveira; Rui F Silva; José F Carreira; Luis Rino; Maria R Correia; Shlomo Z Rotter; Luis N Alves; Joana C Mendes;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus NO MEU: ORCID
ORCID50
TÃTULO: Low-cost acoustic design of a bat test room
AUTORES: Correia, R; Faneca, C; Albuquerque, D ; José Manuel Neto Vieira ; Bastos, C; Fonseca, C; Ramos Pereira, MJR;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: BIOACOUSTICS-THE INTERNATIONAL JOURNAL OF ANIMAL SOUND AND ITS RECORDING, VOLUME: 24, NÚMERO: 1
AUTORES: Correia, R; Faneca, C; Albuquerque, D ; José Manuel Neto Vieira ; Bastos, C; Fonseca, C; Ramos Pereira, MJR;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: BIOACOUSTICS-THE INTERNATIONAL JOURNAL OF ANIMAL SOUND AND ITS RECORDING, VOLUME: 24, NÚMERO: 1
