Maria Eduarda da Cunha Pereira
AuthID: R-000-B9J
251
TÃTULO: Degradation of structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with increasing number of wells Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Low temperature photoluminescence, transient photoconductivity and microwave reflection for optical properties and transport in PLD-GaN Full Text
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Schwarz, R ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Kunst, M; Koynov, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Schwarz, R ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Kunst, M; Koynov, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Analysis of strain depth variations in an In(0.19)Ga(0.81)N layer by Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Renucci, MA; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Renucci, MA; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Compositional pulling effects in InxGa1-x/GaN layers: A combined depth-resolved cathodoluminescence and Rutherford backscattering/channeling study
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 64, NÚMERO: 20
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 64, NÚMERO: 20
255
TÃTULO: Depth resolved studies of indium content and strain in InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Indium distribution within InxGa1-xN epitaxial layers: A combined resonant Raman scattering and Rutherford backscattering study Full Text
AUTORES: Correia, R; Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Gleize, J; Frandon, J; Renucci, MA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Correia, R; Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Gleize, J; Frandon, J; Renucci, MA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Determination of biaxial modulus of chemical vapor-deposited diamond films Full Text
AUTORES: Fan, QH; Gracio, J ; Pereira, E; Teixeirae, V ; Tavares, CJ ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 28th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 398
AUTORES: Fan, QH; Gracio, J ; Pereira, E; Teixeirae, V ; Tavares, CJ ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 28th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 398
258
TÃTULO: Deflation for block eigenvalues of block partitioned matrices with an application to matrix polynomials of commuting matrices Full Text
AUTORES: Pereira, E; Vitoria, J;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 8th International Conference on Numerical Methods and Computational Mechanics (NMCM98) in COMPUTERS & MATHEMATICS WITH APPLICATIONS, VOLUME: 42, NÚMERO: 8-9
AUTORES: Pereira, E; Vitoria, J;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 8th International Conference on Numerical Methods and Computational Mechanics (NMCM98) in COMPUTERS & MATHEMATICS WITH APPLICATIONS, VOLUME: 42, NÚMERO: 8-9
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TÃTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
260
TÃTULO: Indium content determination related with structural and optical properties of InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Soares, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th European Workshop on Gallium Nitride in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 230, NÚMERO: 3-4
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Soares, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th European Workshop on Gallium Nitride in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 230, NÚMERO: 3-4
