Maria Eduarda da Cunha Pereira
AuthID: R-000-B9J
281
TÃTULO: Polycrystalline diamond thin film as wide bandgap material: The optoelectronic behaviour and the relationship with the structure
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Rodrigues, A; Gomes, H;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference, SIMC 2000 in IEEE Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, SIMC, VOLUME: 2000-January
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Rodrigues, A; Gomes, H;
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TÃTULO: A new surface pretreatment approach for enhancing diamond nucleation
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 14, NÚMERO: 12
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 14, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Electrical and photoelectronic properties of hexagonal GaN Full Text
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, L; Pereira, E; Schon, O; Heuken, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 99) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, L; Pereira, E; Schon, O; Heuken, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 99) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Strain relaxation in GaN films as a function of growth direction and buffer layer measured by Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Seitz, R; Monteiro, T ; Pereira, E; Di Forte Poisson, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 99) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
AUTORES: Seitz, R; Monteiro, T ; Pereira, E; Di Forte Poisson, M;
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TÃTULO: Comparison of the adhesion of diamond coatings using indentation tests and micro-Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Fan, QH; Gracio, J ; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 86, NÚMERO: 10
AUTORES: Fan, QH; Gracio, J ; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 86, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Adhesion of diamond coatings on steel and copper with a titanium interlayer Full Text
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 6th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-6) in DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 8, NÚMERO: 8-9
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
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TÃTULO: Interface properties and capacitance-voltage behaviour of diamond devices prepared by microwave-assisted CVD Full Text
AUTORES: Rodrigues, AM; Gomes, HL ; Rees, JA; Pereira, L; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: IV International Workshop on Surface and Bulk Defects in CVD Diamond and Related Films in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 174, NÚMERO: 1
AUTORES: Rodrigues, AM; Gomes, HL ; Rees, JA; Pereira, L; Pereira, E;
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TÃTULO: Characterisation of different habits in torch-flame-grown diamond and diamond-like films Full Text
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Cremades, A; Piqueras, J; Jimenez, J; Bielza, JM;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
AUTORES: Pereira, L; Pereira, E; Cremades, A; Piqueras, J; Jimenez, J; Bielza, JM;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Diamond deposition on copper: studies on nucleation, growth, and adhesion behaviours Full Text
AUTORES: Fan, QH; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 34, NÚMERO: 6
AUTORES: Fan, QH; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 34, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Quantitative evaluation of adhesion of diamond coatings
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 14, NÚMERO: 3
AUTORES: Fan, QH; Fernandes, A; Pereira, E; Gracio, J ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, VOLUME: 14, NÚMERO: 3
