1
TÍTULO: High-voltage LDMOS transistors fully compatible with a deep-submicron 0.35 mu m CMOS process  Full Text
AUTORES: Santos, PM ; Vitor Costa ; Gomes, MC; Beatriz Borges ; Mario Lanca;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 38, NÚMERO: 1
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2
TÍTULO: High-voltage NMOS design in fully implanted twin-well CMOS  Full Text
AUTORES: Santos, PM ; Quaresma, H; Silva, AP; Lanca, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 35, NÚMERO: 9
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3
TÍTULO: Design of High-Voltage devices in a fully implanted twin-well CMOS process
AUTORES: Santos, PM; Quaresma, H; Silva, AP; Lanca, M;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 33rd European Solid-State Device Research Conference in ESSDERC 2003: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE
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4
TÍTULO: EIGHT-VALUE MODELLING TECHNIQUE FOR LOGIC SIMULATION OF TRANSMISSION GATES AND BUSES.
AUTORES: Almeida, CB ; Lanca, MJA;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: European Conference on Electronic Design Automation (EDA84). in IEE Conference Publication, NÚMERO: 232
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5
TÍTULO: TIMING VERIFICATION OF LARGE DIGITAL CIRCUITS.
AUTORES: Teixeira, IMC ; Lanca, MJA;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: European Conference on Electronic Design Automation (EDA84). in IEE Conference Publication, NÚMERO: 232
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