91
TÍTULO: TCAD Simulation of Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors
AUTORES: Jorge Martins; Pedro Barquinha; Joao Goes;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
92
TÍTULO: Electrochemical Transistor Based on Tungsten Oxide with Optoelectronic Properties
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
93
TÍTULO: Oxide TFTs on Flexible Substrates for Designing and Fabricating Analog-to-Digital Converters
AUTORES: Ana Correia; Joao Goes; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
94
TÍTULO: InGaZnO Thin-Film-Transistor-Based Four-Quadrant High-Gain Analog Multiplier on Glass
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
NO MEU: ORCID
95
TÍTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor  Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 379
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
96
TÍTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor  Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
INDEXADO EM: WOS
98
TÍTULO: Radiation-Tolerant Flexible Large-Area Electronics Based on Oxide Semiconductors
AUTORES: Tobias Cramer; Allegra Sacchetti; Maria Teresa Lobato; Pedro Barquinha; Vincent Fischer; Mohamed Benwadih; Jacqueline Bablet; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Beatrice Fraboni;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
99
TÍTULO: Improving positive and negative bias illumination stress stability in parylene passivated IGZO transistors  Full Text
AUTORES: Asal Kiazadeh; Henrique L Gomes; Pedro Barquinha; Jorge Martins; Ana Rovisco; Joana V Pinto; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
100
TÍTULO: Novel Linear Analog-Adder Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
Página 10 de 17. Total de resultados: 167.