Reinhard Horst Schwarz
AuthID: R-000-F9H
61
TÃTULO: Steady-state photocarrier grating technique applied to a-Si:H thin film transistors
AUTORES: Wang, F; Reissner, M; Fischer, T; Grebner, S; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 297
AUTORES: Wang, F; Reissner, M; Fischer, T; Grebner, S; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 297
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62
TÃTULO: CPM-characterization of light and current stressed a-Si:H diodes with nin, pip, and pin structures Full Text
AUTORES: Ostendorf, HC; Schwarz, R; Kusian, W; Kruhler, W;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
AUTORES: Ostendorf, HC; Schwarz, R; Kusian, W; Kruhler, W;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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63
TÃTULO: Change transport along and across a-Si:H/a-SiC:H multilayers Full Text
AUTORES: Arlauskas, K; Juska, G; Schwarz, R; Fischer, T;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
AUTORES: Arlauskas, K; Juska, G; Schwarz, R; Fischer, T;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
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TÃTULO: Characterization of optoelectronic properties of a-Si1-xCx:H films Full Text
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
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65
TÃTULO: Light and current degradation of a-Si:H pin, nin and pip diodes detected with CPM Full Text
AUTORES: Ostendorf, HC; Kusian, W; Kruhler, W; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
AUTORES: Ostendorf, HC; Kusian, W; Kruhler, W; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
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66
TÃTULO: Fermi level dependence of the ambipolar diffusion length in amorphous silicon thin film transistors Full Text
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Reissner, M;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 63, NÚMERO: 8
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Reissner, M;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 63, NÚMERO: 8
67
TÃTULO: Temperature dependence of radiative and non-radiative lifetimes in hydrogenated amorphous silicon Full Text
AUTORES: Muschik, T; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 1
AUTORES: Muschik, T; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 1
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68
TÃTULO: High-temperature annealing behavior of μτ products of electrons and holes in a-Si:H Full Text
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 2
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Interdiffusion in amorphous Si/SiC multilayers Full Text
AUTORES: Kolodzey, J; Hanesch, P; Fischer, T; Schwarz, R; Zorn, G; Gobel, H;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Materials Science and Engineering B, VOLUME: 11, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Kolodzey, J; Hanesch, P; Fischer, T; Schwarz, R; Zorn, G; Gobel, H;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Materials Science and Engineering B, VOLUME: 11, NÚMERO: 1-4
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70
TÃTULO: Electron and hole μτ-products in a-Si:H/a-SiNχ:H multilayers Full Text
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R; Beaudoin, M; Meunier, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Superlattices and Microstructures, VOLUME: 12, NÚMERO: 4
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R; Beaudoin, M; Meunier, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Superlattices and Microstructures, VOLUME: 12, NÚMERO: 4
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