Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
181
TÃTULO: A thermalization energy analysis of the threshold voltage shift in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors under positive gate bias stress Full Text
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
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TÃTULO: InGaZnO TFT behavioral model for IC design Full Text
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
183
TÃTULO: Electrochemical Transistor Based on Tungsten Oxide with Optoelectronic Properties
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: InGaZnO Thin-Film-Transistor-Based Four-Quadrant High-Gain Analog Multiplier on Glass
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Eco-friendly, solution-processed In-W-O thin films and their applications in low-voltage, high-performance transistors Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
186
TÃTULO: The influence of target erosion grade in the optoelectronic properties of AZO coatings growth by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
187
TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
INDEXADO EM: 
WOS
WOS188
TÃTULO: Design of optimized wave-optical spheroidal nanostructures for photonic-enhanced solar cells Full Text
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
189
TÃTULO: Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 23
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 23
190
TÃTULO: Influence of Channel Length Scaling on InGaZnO TFTs Characteristics: Unity Current-Gain Cutoff Frequency, Intrinsic Voltage-Gain, and On-Resistance Full Text
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Asal Kiazadeh; Allegra Sacchetti; Jorge Martins ; Ana Rovisco; Vitor Grade Tavares ; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 6
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Asal Kiazadeh; Allegra Sacchetti; Jorge Martins ; Ana Rovisco; Vitor Grade Tavares ; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 6
