Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
311
TÃTULO: Self-Rechargeable Paper Thin-Film Batteries: Performance and Applications Full Text
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
312
TÃTULO: Al1-xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
313
TÃTULO: Thin-film transistors based on p-type Cu2O thin films produced at room temperature Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha ; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Goncalo Goncalves; Sang Hee Ko Park; Chi Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
NO MEU: 
ORCID | 
ResearcherID
ORCID | ResearcherID314
TÃTULO: P-202L: Late-news poster: Long-term stability of oxide semiconductor-based TFTs
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus NO MEU: ORCID
ORCID315
TÃTULO: Inkjet printed and “doctor blade” TiO2 photodetectors for DNA biosensors Full Text
AUTORES: Iwona Bernacka-Wojcik; Rohan Senadeera; Pawel Jerzy Wojcik; Leonardo Bione Silva; Gonçalo Doria; Pedro Baptista; Hugo Aguas; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Biosensors and Bioelectronics, VOLUME: 25, NÚMERO: 5
AUTORES: Iwona Bernacka-Wojcik; Rohan Senadeera; Pawel Jerzy Wojcik; Leonardo Bione Silva; Gonçalo Doria; Pedro Baptista; Hugo Aguas; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Biosensors and Bioelectronics, VOLUME: 25, NÚMERO: 5
316
TÃTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
317
TÃTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)] Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
318
TÃTULO: <title>Floating gate memory paper transistor</title>
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
AUTORES: Martins, R; Pereira, L; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
319
TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
320
TÃTULO: Role of Trimethylboron to Silane Ratio on the Properties of <I>p</I>-Type Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
